半导体发光装置中成长的光子晶体

摘要

本发明揭示一种半导体结构中成长的光子晶体。一光子晶体成长于一半导体结构，诸如III族氮化物结构之内，其包含一放置于一n型区与一p型区间之发光区。该光子晶体可为多个半导体材料区，由一具有折射率异于该半导体材料者的材料所分离。举例来说，该光子晶体可为半导体材料柱成长于该结构中，且由空气隙或遮罩材料区所分离。成长光子晶体，而非将光子晶体蚀刻至已长成的半导体层内，如此避免减少效率之蚀刻所致的损害，且提供其上不间断的平面表面以形成电性接点。