| 摘要 |
本发明揭露一种(Al, Ga, In)N型化合物半导体元件及其制造方法。本发明之(Al, Ga, In)N型化合物半导体元件包括：一基板；一生长于基板上之(Al, Ga, In)N型化合物半导体层；以及一位于(Al, Ga, In)N型化合物半导体层上之电极，电极是由选自由Pt、Pd与Au所组成之群的至少一材料或其一合金所形成。另外，制造(Al, Ga, In)N型化合物半导体元件之方法包括以下步骤：使一包括P型杂质之P层生长于一生长室中；排出生长室中之氢与一氢来源气体；将(Al, Ga, In)N型化合物半导体与形成于其上之P层之温度降低至可将其自生长室抽取至外部之程度；自生长室抽取(Al, Ga, In)N型化合物半导体；以及在P层上形成一由选自由Pt、Pd与Au所组成之群的至少一材料或其一合金所形成之电极。根据本发明，有可能无需执行一退火过程而充分地确保P型导电性并获取良好之欧姆接触特征。而且，当使用Pt、Pd、Au电极时，无需进一步之退火。 |
