具有一传导增强层之半导体装置

摘要

本发明揭示一种半导体装置，其包括：一第一传导类型之漂移层，其具有一掺杂浓度；以及在该漂移层上一亦为该第一传导类型之传导层，其具有一大于该漂移层之掺杂浓度之掺杂浓度。该装置亦包括一对沟渠结构，其各包括一与其中一端接触之沟渠，以及一于另一端与该第一传导类型相对的第二传导类型区域。每一沟渠结构会延伸至并停止于该传导层内，使得该第二传导类型区域系于该传导层内。一第一接点结构系于相对该传导层之漂移层上，而一第二接点结构则于该传导层上。