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经营范围
发明名称
记忆单元和记忆单元阵列
摘要
二位元鳍式场效电晶体之快闪记忆单元可储存二位元以及其制造方法,记忆单元包括基底上表面之半导体鳍、半导体鳍通道区上表面和侧壁之闸极绝缘薄膜、闸极绝缘薄膜上之闸电极和沿着闸电极相对方向之两电荷阻陷区,其中各电荷阻陷区被闸电极和半导体鳍旁之通道层分隔。记忆单元更包括在电荷阻陷区上之保护层,各电荷阻陷区可储存一位元,记忆单元藉由施加不同偏压至记忆单元之源极、汲极和闸极来运作。
申请公布号
TW200715553
申请公布日期
2007.04.16
申请号
TW095108556
申请日期
2006.03.14
申请人
台湾积体电路制造股份有限公司
发明人
黄俊仁;季明华;杨富量
分类号
H01L29/76(2006.01)
主分类号
H01L29/76(2006.01)
代理机构
代理人
洪澄文;颜锦顺
主权项
地址
新竹市新竹科学工业园区力行六路8号
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