发明名称 形成多晶矽薄膜的设备和方法
摘要 提供了通过使用金属将非晶矽薄膜转化成多晶矽体薄膜的用于形成非晶矽薄膜的设备与方法。所述方法包括:金属核吸收步骤,即将气相金属化合物引入设有玻璃基板的处理空间中,以便将包含在所述金属化合物中的金属核吸收到所述非晶矽层中,其中该玻璃基板上形成有非晶矽;金属核分布区域形成步骤,即形成公共区域,该公共区域包括由金属化合物因金属核的吸收而通过自限制机制所占据的平面边界区域中的每个金属核所对应的多矽粒子;以及多余气体去除步骤,即吹洗并去除在所述金属核分布区域形成步骤中未被吸收的多余气体。
申请公布号 TW200715377 申请公布日期 2007.04.16
申请号 TW095132080 申请日期 2006.08.30
申请人 泰瑞半导体股份有限公司 发明人 张泽龙;李炳一;李永浩
分类号 H01L21/205(2006.01) 主分类号 H01L21/205(2006.01)
代理机构 代理人 蔡清福
主权项
地址 韩国