使含矽薄膜沈积的方法

摘要

本发明揭示使用甲矽烷基胺基团形成含矽薄膜的方法。在一些较佳体系中，在低于550℃之温度下，使用甲矽烷基胺基团沈积矽-氮、矽-氧、或矽-氮-氧物质。在一些较佳体系中，方法是在经调适使含有单一基质的加工槽内以及经调适使含有多个基质的加工槽内实施，其中是在横流的方式下将甲矽烷基胺基团输送至槽。