N型与P型金氧半导体元件之矽化金属区及其方法SILICIDED REGIONS FOR N METAL OXIDE SEMICONDUCTOR AND P METAL OXIDE SEMICONDUCTOR DEVICES AND METHOD FOR THE SAME

摘要

一种具有N型金氧半导体元件与P型金氧半导体元件之半导体元件。此N型金氧半导体元件具有沿闸电极生成之额外间隙壁，使矽化金属区在离闸电极较远处生成，以减少间隙壁下方矽化金属区所产生之侧向侵入，并特别降低了漏电流的情况。一种半导体元件之形成方法包括沿N型金氧半导体与P型金氧半导体上之闸电极两侧形成复数个间隙壁，并进行一或多次布植制程，以在N型金氧半导体与P型金氧半导体的源/汲极区布植掺质。选择性地移除沿P型金氧半导体之闸电极侧边一个以上的间隙壁，之后，可进一步金属矽化P型金氧半导体之源/汲极区。