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发明名称
具有互连闸极槽沟之功率半导体装置
摘要
一种功率半导体装置其包括复数之闸极槽沟以及一周围槽沟系与该等闸极槽沟相交。
申请公布号
TW200715552
申请公布日期
2007.04.16
申请号
TW095130111
申请日期
2006.08.16
申请人
国际整流器公司
发明人
马霖;艾马利;托尔诺 罗素
分类号
H01L29/739(2006.01);H01L29/772(2006.01)
主分类号
H01L29/739(2006.01)
代理机构
代理人
恽轶群;陈文郎
主权项
地址
美国
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