在应变矽层中具有改良结晶性之应变绝缘矽结构

摘要

本发明大体而言系关于一种应变绝缘矽(SSOI)结构及用于制造该结构之一方法。该方法包括一SSOI结构之一高温热退火以改良该应变矽层之结晶性，同时维持其中呈现之应变。