发明名称 自对准之闸极隔离
摘要 本发明之实施例包含具有含有自对准之闸极的电晶体之电路。可形成自对准至扩散区之绝缘隔离结构。可接着形成自对准至绝缘隔离结构之闸极。
申请公布号 TW200715467 申请公布日期 2007.04.16
申请号 TW095125263 申请日期 2006.07.11
申请人 英特尔股份有限公司 发明人 彼得 张
分类号 H01L21/76(2006.01);H01L21/8244(2006.01) 主分类号 H01L21/76(2006.01)
代理机构 代理人 林志刚
主权项
地址 美国