减少在离子植入制程中累积于晶片表面之正电荷的方法

摘要

一种减少在离子植入制程中累积于晶片表面之电荷的方法，此方法是先提供基底，再在基底上形成一层导电光阻图案，以暴露部分基底，并以导电光阻图案为罩幕，对基底进行离子植入制程，以于基底中形成数个掺杂区。然后，移除导电光阻图案。由于利用导电光阻图案将累积的电荷传导出去，所以能够避免因电荷累积于晶片表面而发生的火山效应。