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发明名称
经释离处理之基板及其制造方法
摘要
本发明系关于一种经释离处理之基板,其系具有至少部分位于基板之至少一侧上之利用阳离子可聚合之紫外光固化聚矽氧处理剂之释离处理剂层之经释离处理之基板,且其特征在于将阳离子可聚合之紫外光固化聚矽氧处理剂至少部分涂布至基板之至少一侧,然后在进行紫外光辐照处理之前先进行热处理。关于阳离子可聚合之紫外光固化聚矽氧处理剂,其中之有效成分系于分子中具有至少两环氧基之经改质聚矽氧聚合物成分的阳离子可聚合之紫外光固化聚矽氧处理剂适用。热处理中之温度较佳系自35至120℃。
申请公布号
TW200714468
申请公布日期
2007.04.16
申请号
TW095128270
申请日期
2006.08.02
申请人
日东电工股份有限公司
发明人
田中和雅;原田正臣
分类号
B32B33/00(2006.01);C09D183/04(2006.01);C09J7/02(2006.01)
主分类号
B32B33/00(2006.01)
代理机构
代理人
赖经臣;宿希成
主权项
地址
日本
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