发明名称 矽点形成方法及矽点形成装置
摘要 提供在基体上以低温直接形成密度分布均匀粒径一致之矽点,由该矽点取得容易被终端处理之矽点形成方法及装置。其解决手段为在矽点形成室1设置矽溅镀靶材30,配置矽点形成对象基体S,使导入至该室内之溅镀用气体(以氢气体为代表)予以电浆化,以该电浆化学溅镀靶材30而在基体S上形成矽点。或是在源自氢气体及矽烷系气体之电浆发光强度比[Si(288nm)/Hβ]为10.0以下之电浆的状态下,在基体S上形成矽点。在源自氧气体等之终端处理用气体之电浆的状态下,对该矽点施予终端处理。
申请公布号 TW200714729 申请公布日期 2007.04.16
申请号 TW095134625 申请日期 2006.09.19
申请人 日新电机股份有限公司 发明人 高桥英治;东名敦志
分类号 C23C14/34(2006.01);H01L21/00(2006.01) 主分类号 C23C14/34(2006.01)
代理机构 代理人 林志刚
主权项
地址 日本