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经营范围
发明名称
矽点形成方法及矽点形成装置
摘要
提供在基体上以低温直接形成密度分布均匀粒径一致之矽点,由该矽点取得容易被终端处理之矽点形成方法及装置。其解决手段为在矽点形成室1设置矽溅镀靶材30,配置矽点形成对象基体S,使导入至该室内之溅镀用气体(以氢气体为代表)予以电浆化,以该电浆化学溅镀靶材30而在基体S上形成矽点。或是在源自氢气体及矽烷系气体之电浆发光强度比[Si(288nm)/Hβ]为10.0以下之电浆的状态下,在基体S上形成矽点。在源自氧气体等之终端处理用气体之电浆的状态下,对该矽点施予终端处理。
申请公布号
TW200714729
申请公布日期
2007.04.16
申请号
TW095134625
申请日期
2006.09.19
申请人
日新电机股份有限公司
发明人
高桥英治;东名敦志
分类号
C23C14/34(2006.01);H01L21/00(2006.01)
主分类号
C23C14/34(2006.01)
代理机构
代理人
林志刚
主权项
地址
日本
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