动态随机存取记忆体及制造方法

摘要

一种动态随机存取记忆体，包括配置于基底之第一沟渠中的沟渠式电容器、配置于基底之第二沟渠中的导电层、一闸极结构与配置于闸极结构二侧之基底表面上的导电层。第二沟渠的深度小于第一沟渠的深度，且第二沟渠底部与第一沟渠部分重叠。配置于第二沟渠中的导电层与沟渠式电容器的导电层电性连接。闸极结构配置于基底上。闸极结构一侧之导电层与配置于第二沟渠中的导电层电性连接。