发明名称 蚀刻方法及蚀刻装置
摘要 〔课题〕提供一方面维持高速蚀刻率,一方面实现于沟槽侧壁面上没有坑洞与粗糙现象之沟槽蚀刻所需之蚀刻方法。〔解决手段〕对于矽基板、或含有矽氧化物介电体层之矽基板,进行电浆蚀刻,其系以「于SF6与O2所构成之混合气体、或SF6、O2与SiF4所构成之混合气体中,在该混合之总气体流量的5%~16%范围内,添加含有氢之气体的混合气体电浆」,来形成矽沟槽,以形成沟或洞。
申请公布号 TW200715400 申请公布日期 2007.04.16
申请号 TW094140811 申请日期 2005.11.21
申请人 日立全球先端科技股份有限公司 发明人 高田和男;工藤丰;谷聪
分类号 H01L21/3065(2006.01);C23F4/00(2006.01) 主分类号 H01L21/3065(2006.01)
代理机构 代理人 林志刚
主权项
地址 日本