半导体光电化学装置之制造方法及半导体光电化学装置

摘要

一种半导体光电化学装置之制造方法，系将由钛或钛合金所构成之基材，在700～1000℃之大气中、以5℃／秒以上的升温速度加以烧成而在表面形成氧化钛层，使金属钛混杂于氧化钛层中。