半导体装置及其制造方法

摘要

本发明目的在于提供一种技术，其不会引起伴随于虚主动区域之配置之晶片面积增大，并使半导体基板之表面平坦性提高。其解决手段在于：于主动区域之n型埋入层3之上侧部分，形成具有厚的膜厚之高耐压MISFET之闸极绝缘膜7，于该闸极绝缘膜7之上侧部分，形成内部电路之电阻元件IR。藉由于n型埋入层3与电阻元件IR之间嵌插厚的闸极绝缘膜7，构成于基板1(n型埋入层3)与电阻元件IR之间形成之耦合电容降低之构造。