发明名称 凸块电极下钛钨层之蚀刻方法
摘要 〔课题〕提供尽管使用了药液的湿式蚀刻,亦不产生底切(under cut)之凸块电极下钛钨层(TiW)之蚀刻方法。〔解决手段〕在金凸块电极3不存在的范围,系因为藉由UV准分子光的照射而活性化药液Y(过氧化氢水),所以凸块电极下钛钨层2a的蚀刻反应提早进行,但在金凸块电极3存在的范围,因为UV准分子光由金凸块电极遮蔽,所以药液Y不被活性化,蚀刻反应几乎不进行。总之,在金凸块电极3的下方范围,因为凸块电极下钛钨层2a的蚀刻反应非常慢,所以可实现不产生底切(undercut)的凸块电极下钛钨层2a的蚀刻。
申请公布号 TW200714752 申请公布日期 2007.04.16
申请号 TW094143660 申请日期 2005.12.09
申请人 梦 塞帝克股份有限公司 发明人 长泽和男;松井和夫
分类号 C25F3/08(2006.01);C23F1/26(2006.01);H01L21/306(2006.01) 主分类号 C25F3/08(2006.01)
代理机构 代理人 林志刚
主权项
地址 日本