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Disposición de circuito de baja inductancia parásita consistente en un sustrato aislado eléctricamente (9) sobre el que se encuentran vías de unión metálicas aisladas entre sí, sobre las que hay dispuestos conmutadores de potencia primeros y segundos conectados en serie, los cuales constan de varios transistores de potencia primeros (13) y segundos (19) conectados en paralelo así como de conductores de co- nexión de corriente continua (20, 21) y alterna (22), estando los transistores de potencia primeros (13) y segundos (19) dispuestos muy próximos entre sí y en serie, estando los con- ductores de conexión de corriente continua (20, 21) dispues- tos en una primera sección en forma de banda, muy próximos entre sí y en paralelo hasta un punto cercano a la superficie del sustrato (9) o en contacto con ésta, y presentando al me- nos uno de los conductores de conexión (20) una segunda sec- ción en forma de banda en paralelo a la superficie del sus- trato (9) con nervios (23) situados en ella, ladisposición caracterizada por el hecho de que dichos nervios (23) están separados parcialmente del sustrato únicamente por una capa aislante y presentan como mínimo un punto de contacto (12) con la superficie del sustrato (9). |
