Herstellungsverfahren für einen Graben-Transistor und entsprechender Graben-Transistor

摘要

Die vorliegende Erfindung schafft ein Herstellungsverfahren für einen Graben-Transistor und einen entsprechenden Graben-Transistor (Graben = Recessed Channel Array Transistor). Das Verfahren umfasst die Schritte: Bereitstellen eines Halbleitersubstrats (1) eines ersten Leitungstyps; Bilden eines Grabens (5) in dem Substrat (1); Bilden eines Gatedielektrikums (20) auf dem Substrat (1) in dem Graben (5); Vorsehen einer ersten leitenden Füllung (30') in dem Graben (5) als Gateelektrode (30) auf dem Gatedielektrikum (20); Bilden erster Source- und Drain-Bereiche (4) durch Einführen von Verunreinigungen eines zweiten Leitungstyps in die Oberfläche des Substrats (1) neben dem Graben (5); Rückätzen der ersten leitenden Füllung (30') in dem Graben (5) bis in eine Tiefe unterhalb der ersten Source- und Drain-Bereiche (4); Bilden zweiter Source- und Drain-Bereiche (4') durch Einführen von Verunreinigungen eines zweiten Leitungstyps in die Oberfläche des Substrats (1) in dem Graben (5), wobei die zweiten Source- und Drain-Bereiche (4') an die ersten Source- und Drain-Bereiche (4) angrenzen und in eine Tiefe bis mindestens zur rückgeätzten ersten leitenden Füllung (30') reichen; Bilden eines Isolationsspacers (25; 25') oberhalb der rückgeätzten ersten leitenden Füllung (30') im Graben (5) und Vorsehen einer zweiten leitenden Füllung (30'') in dem Graben (5) als oberer Teil der Gateelektrode, welche in elektrischem Kontakt mit der rückgeätzten ersten leitenden Füllung (30') steht ...