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Eine Halbleitervorrichtung weist Folgendes auf: ein Halbleitersubstrat (1) mit einer ersten Halbleiterschicht (1a), einer Isolationsschicht (3) und einer zweiten Halbleiterschicht (2), die in dieser Reihenfolge gestapelt sind; einen LDMOS-Transistor (9a), der an der ersten Halbleiterschicht (1a) angeordnet ist; und einen Bereich (5, 5a, 5R, 5WU, 5WL, 5TU, 5TL) mit einer Dielektrizitätskonstanten, die geringer ist als die der ersten oder zweiten Halbleiterschicht (1a, 2). Der Bereich (5, 5a, 5R, 5WU, 5WL, 5TU, 5TL) berührt die Isolationsschicht (3) und ist zwischen einer Source und einem Drain des LDMOS-Transistors (9a) angeordnet. Die Vorrichtung weist in einer Richtung senkrecht zu dem Substrat (1) eine hohe Spannungsfestigkeit auf.
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