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Eine Halbleiterstruktur zur Ableitung eines Überspannungsimpulses umfasst ein erstes Halbleitergebiet, das einen ersten Dotierungstyp aufweist, eine Halbleiterschicht, die auf dem ersten Halbleitergebiet angrenzend angeordnet ist, eine Isolationsstruktur, die in die erste Halbleiterschicht eingebracht ist, um ein zweites Halbleitergebiet von einem das zweite Halbleitergebiet umgebenden Gebiet der Halbleiterschicht elektrisch zu isolieren, sowie ein drittes Halbleitergebiet, das den ersten Dotierungstyp aufweist und das auf dem zweiten Halbleitergebiet angrenzend angeordnet ist. Das zweite Halbleitergebiet weist einen zweiten Dotierungstyp auf, der von dem ersten Dotierungstyp verschieden ist. Eine erfindungsgemäße Halbleiterstruktur umfasst ferner eine Kontaktierungsstruktur, die ausgelegt ist, um einen elektrischen Kontakt mit dem ersten Halbleitergebiet herzustellen, sowie eine zweite Kontaktierungsstruktur, die ausgelegt ist, um einen elektrischen Kontakt mit dem dritten Halbleitergebiet herzustellen. Das dritte Halbleitergebiet grenzt nur innerhalb eines durch die Isolationsstruktur begrenzten Bereichs an die Halbleiterschicht an. Ferner ist das erste Halbleitergebiet höher dotiert als das zweite Halbleitergebiet und außerdem ist das dritte Halbleitergebiet höher dotiert als das zweite Halbleitergebiet. Eine erfindungsgemäße Halbleiterstruktur kann in vorteilhafter Weise als ein ESD-Schutzelement zur Ableitung eines Überspannungsimpulses eingesetzt werden und weist, ...
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