发明名称 |
Halbleitervorrichtung mit einer T-förmigen Gatestruktur und Verfahren zu deren Herstellung |
摘要 |
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申请公布号 |
DE19527131(B4) |
申请公布日期 |
2007.04.12 |
申请号 |
DE19951027131 |
申请日期 |
1995.07.25 |
申请人 |
HYUNDAI ELECTRONICS INDUSTRIES CO. LTD. |
发明人 |
CHO, BYUNG JIN |
分类号 |
H01L21/8247;H01L29/78;H01L21/28;H01L21/3213;H01L21/336;H01L29/423;H01L29/788;H01L29/792 |
主分类号 |
H01L21/8247 |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
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地址 |
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