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Die Erfindung betrifft ein JBS-SiC-Halbleiterbauelement integriertes vertikales JBS-SiC-Halbleiterbauelement, insbesondere Leistungshalbleiterbauelement, vorgesehen, mit einem hochdotierten SiC-Halbleiterkörper eines ersten Leitfähigkeitstyps, mit einer niedrig dotierten Driftzone des ersten Leitfähigkeitstyps, die emitterseitig über dem Halbleiterkörper angeordnet ist und die zumindest teilweise bereichsweise an eine erste Oberfläche angrenzt, mit zumindest einer Emitterzone eines zweiten Leitfähigkeitstyps, die an der Seite der ersten Oberfläche in die Driftzone eingebettet sind und an die erste Oberfläche angrenzt, mit einer innerhalb der Driftzone angeordneten, von den Emitterzonen beabstandeten und lateral durch die gesamte Driftzone durchgehenden Zwischenschicht des ersten Leitfähigkeitstyps, die eine gegenüber der Driftzone höhere Dotierungskonzentration aufweist.
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