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Ein nicht-flüchtiges Speicherelement hat eine Aufzeichnungsschicht, die ein Phasenänderungsmaterial enthält, eine untere Elektrode, die in Kontakt mit der Aufzeichnungsschicht vorgesehen ist, eine obere Elektrode, die in Kontakt mit einem Teil der oberen Oberfläche der Aufzeichnungsschicht vorgesehen ist, einen Isolierschutzfilm, der in Kontakt mit dem anderen Teil der oberen Oberfläche der Aufzeichnungsschicht vorgesehen ist. Dadurch kann eine hohe thermische Effizienz erzielt werden, weil die Größe der Berührungsfläche zwischen der Aufzeichnungsschicht und der oberen Elektrode verkleinert ist. Das Vorsehen des Isolierschutzfilms zwischen dem Zwischenschicht-Isolierfilm und der oberen Oberfläche der Aufzeichnungsschicht ermöglicht eine Verringerung der Zerstörung, welche die Aufzeichnungsschicht während der Strukturierung der Aufzeichnungsschicht oder während der Ausbildung des Durchgangslochs zum Freilegen eines Teils der Aufzeichnungsschicht erleidet.
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