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Ein Verschluss an der Öffnung eines Einschnitts mit einem epitaxialen Film wird eingeschränkt, wodurch hierdurch die Füllmorphologie in die Einschnitte verbessert wird. DOLLAR A Ein Verfahren zur Herstellung eines Halbleitersubstrats schließt eine Stufe des Wachsenlassens bzw. Züchtens einer epitaxialen Schicht 11 auf der Oberfläche eines Siliciumsubstrats 13, eine Stufe der Bildung eines Einschnitts bzw. einer Einkerbung 14 in dieser epitaxialen Schicht und eine Stufe des Befüllens der Innenseite des Einschnitts 14 mit dem eptaxialen Film 12, ein, wobei ein Mischgas, hergestellt durch Einmischen eines Halogenoidgases in ein Siliciumquellengas, ein Gasmaterial in der Stufe des Befüllens der Innenseite des Einschnitts mit dem epitaxialen Film zirkuliert wird und DOLLAR A wenn die Standardfließgeschwindigkeit des Halogenoidgases als Xslm definiert wird und die Geschwindigkeit der Filmbildung des epitaxialen Films, der durch die Zirkulierung des Siliciumquellengases gebildet worden ist, als Ymum/min definiert wird, im Falle, dass das Aspektverhältnis des Einschnitts kleiner als 10 ist, der Beziehung Y<0,2X+0,10 genügt wird, und im Falle, dass das Aspektverhältnis des Einschnitts zwischen 10 und weniger als 20 liegt, der Beziehung Y<0,2X+0,05 genügt wird, und im Falle, dass das Aspektverhältnis des Einschnitts 20 oder höher ist, der Beziehung Y<0,2X genügt wird.
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