发明名称 Verfahren zur Integration funktioneller Nanostrukturen in mikro- und nanoelektrische Schaltkreise
摘要 Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zur Erzeugung mindestens einer Nanostruktur (9) auf einem Substrat (17). Es sollen auf besonders einfache und wirksame Weise lange Strecken überbrückt und verzweigte Strukturen geschaffen werden. Dabei soll die erzeugte Nanostruktur (9) ein Vielfaches der Länge eines einzelnen Nanoobjekts aufweisen. Die Aufgabe wird durch einen Multielektrodenaufbau (11) gelöst, bei dem die hervorstehenden Elektrodenbereiche Elektrodenfinger (21) sind, die von der Elektrode abgewandten Enden (5) derart entlang einer Linie angeordnet sind, dass die Elektrodenfinger (21) nicht ineinander greifen und bei dem mindestens drei Elektroden (1; 13, 15) ausgebildet sind. Es erfolgt ein dielektrophoretisches Abscheiden separater Nanoobjektansammlungen (7) jeweils entlang der Linie zwischen den benachbarten Enden (5). Auf diese Weise können besonders vorteilhaft lange Nanostrukturen hergestellt werden.
申请公布号 DE102005038121(B3) 申请公布日期 2007.04.12
申请号 DE200510038121 申请日期 2005.08.11
申请人 SIEMENS AG 发明人 BENKE, ANNEGRET;ECKSTEIN, GERALD;JOST, OLIVER;MERTIG, MICHAEL;SICKERT, DANIEL;TAEGER, SEBASTIAN
分类号 H01L21/768 主分类号 H01L21/768
代理机构 代理人
主权项
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