Leistungshalbleiterbauelement mit Ladungskompensationsstruktur und Verfahren zur Herstellung desselben

摘要

Die Erfindung betrifft ein Leistungshalbleiterbauelement mit Ladungskompensationsstruktur (3) und Verfahren zur Herstellung desselben. Das Leistungshalbleiterbauelement (1, 2) weist in einem monokristallinen Halbleiterkörper (4) eine Driftstrecke (5) zwischen zwei Elektroden auf. Die Driftstrecke (5) hat Driftzonen (9) eines ersten Leitungstyps, die einen Strompfad (16) zwischen den Elektroden in der Driftstrecke (5) bereitstellen und Ladungskompensationszonen (11) eines zum ersten Leitungstyp komplementären Leitungstyps, die den Strompfad der Driftstrecke (5) einengen. Die Zonen der Driftstrecke (5) weisen diffusionshemmende Bereiche (23) mit diffusionshemmenden Störstellen und/oder mit diffusionshemmenden Punktdefekten für mindestens einen der Leitungstypen auf, wobei die diffusionshemmenden Bereiche (23) derart angeordnet sind, dass sie die Ladungskompensationszonen (11) in ihrer lateralen Erstreckung begrenzen.