| 主权项 |
1.一种半导体制造装置,包含; 剥除机构,用以自半导体晶圆分出的复数半导体晶 片构成之半导体晶圆剥除压敏黏(PSA)带,半导体晶 圆具有在其上形成元件的元件形成表面及与元件 形成表面相对的后表面,PSA带黏附于半导体晶圆的 元件形成表面,每一半导体晶片都具有形成在后表 面上的黏附层; 其中该剥除机构具有以吸取固定半导体晶圆的多 孔构件之吸取区,该多孔构件在剥除PSA带的方向被 切割成至少两吸取区域。 2.一种半导体制造装置,包含: 剥除机构,用以自半导体晶圆剥除压敏黏(PSA)带,半 导体晶圆具有在其上形成元件的元件形成表面,与 元件形成表面相对的后表面,及形成在整个后表面 上的黏附层,半导体晶圆被割开分成半导体晶片, PSA带黏附于半导体晶圆的元件形成表面; 其中该剥除机构具有以吸取固定半导体晶圆的多 孔构件之吸取区及具有切割黏附层的切割装置,该 多孔构件在剥除PSA带的方向被切割成至少两吸取 区域。 3.一种半导体制造装置,包含: 剥除机构,用以自半导体晶圆剥除压敏黏(PSA)带,半 导体晶圆具有在其上形成元件的元件形成表面,与 元件形成表面相对的后表面,及形成在整个后表面 上的黏附层,PSA带黏附于半导体晶圆的元件形成表 面; 其中该剥除机构具有以吸取固定半导体晶圆的多 孔构件之吸取区及具有将黏附层和半导体晶圆一 起切割成半导体晶片之切割装置,该多孔构件在剥 除PSA带的方向被切割成至少两吸取区域。 4.根据申请专利范围第2项之半导体制造装置, 其中半导体晶圆另外具有形成在元件形成表面上 的密封树脂及形成在密封树脂上的低介电常数绝 缘薄膜, PSA带透过密封树脂和低介电常数绝缘薄膜黏附于 半导体晶圆的元件形成表面,及 该半导体制造装置另外包含加热装置以熔融至少 部分低介电常数绝缘薄膜及密封树脂,以便固定低 介电常数绝缘薄膜在密封树脂上。 5.根据申请专利范围第4项之半导体制造装置, 其中该加热装置以20到40的入射角施加雷射到半 导体晶片的周围边缘加以熔融至少部分低介电常 数绝缘薄膜及密封树脂。 6.一种半导体制造装置,包含: 剥除机构,用以自半导体晶圆分出的复数半导体晶 片构成之半导体晶圆剥除压敏黏(PSA)带,每一半导 体晶片都具有在其上形成元件的元件形成表面及 形成在元件形成表面上的黏附层,PSA带透过黏附层 黏附于半导体晶圆的元件形成表面; 其中该剥除机构具有以吸取固定半导体晶圆的多 孔构件之吸取区,该多孔构件在剥除PSA带的方向被 切割成至少两吸取区域。 7.一种半导体制造装置,包含: 剥除机构,用以自半导体晶圆剥除压敏黏(PSA)带,半 导体晶圆具有在其上形成元件的元件形成表面及 形成在元件形成表面上的黏附层,PSA带透过黏附层 黏附于半导体晶圆的元件形成表面; 其中该剥除机构具有以吸取固定半导体晶圆的多 孔构件之吸取区及具有将黏附层和半导体晶圆一 起切割成半导体晶片之切割装置,该多孔构件在剥 除PSA带的方向被切割成至少两吸取区域。 8.一种半导体制造装置,包含: 剥除机构,用以自半导体晶圆剥除压敏黏(PSA)带,半 导体晶圆具有在其上形成元件的元件形成表面及 形成在整个元件形成表面上的黏附层,半导体晶圆 被割开分成半导体晶片,PSA带透过黏附层黏附于半 导体晶圆的元件形成表面; 其中该剥除机构具有以吸取固定半导体晶圆的多 孔构件之吸取区及切割黏附层的切割装置,该多孔 构件在剥除PSA带的方向被切割成至少两吸取区域 。 9.一种半导体制造装置,包含: 剥除机构,用以自具有在其上形成元件的元件形成 表面之半导体晶圆剥除PSA带,PSA带黏附于半导体晶 圆的元件形成表面; 其中该剥除机构具有以吸取固定半导体晶圆的多 孔构件之吸取区及具有将半导体晶圆切割成半导 体晶片之切割装置,该多孔构件在剥除PSA带的方向 被切割成至少两吸取区域。 10.根据申请专利范围第1项之半导体制造装置,另 外包含至少两真空管系统以藉由吸取固定半导体 晶圆,该真空管被设置成与与该多孔构件的该吸取 区域有关连并且反应于剥除PSA带的位置在其间选 择性开关。 11.根据申请专利范围第10项之半导体制造装置, 其中当剥除PSA带的位置接近相邻吸取区域时,执行 该真空管的开关。 12.根据申请专利范围第1项之半导体制造装置, 其中PSA带被固定于晶圆环。 13.根据申请专利范围第1项之半导体制造装置, 其中PSA带的尺寸实际上等于或大于半导体晶圆的 直径。 14.根据申请专利范围第1项之半导体制造装置,另 外包含在剥除PSA带之后以吸取固定每一半导体晶 片及拾取每一半导体晶片之吸取夹头。 15.一种制造半导体装置之方法,包含: 自半导体晶圆分出的复数半导体晶片构成之半导 体晶圆剥除压敏黏(PSA)带,半导体晶圆具有在其上 形成元件的元件形成表面及与元件形成表面相对 的后表面,及形成在整个后表面上的黏附层,PSA带 黏附于半导体晶圆的元件形成表面;每一半导体晶 片具有形成在其后表面上的黏附层; 其中该剥除PSA带包括透过在剥除PSA带的方向被切 割成至少两吸取区域之多孔构件藉由经由与多孔 构件的吸取区域有关之至少两吸取路径的吸取固 定半导体晶圆,当在剥除PSA带的方向于下一次剥除 之相邻吸取区域附近剥除对应于该多孔构件的相 邻吸取区域之PSA带部分时,该吸取路径被选择性开 关。 16.一种制造半导体装置之方法,包含: 自被分成半导体晶片的半导体晶圆剥除压敏黏(PSA )带,半导体晶圆具有在其上形成元件的元件形成 表面,与元件形成表面相对的后表面,及形成在整 个后表面上的黏附层,PSA带黏附于半导体晶圆的元 件形成表面;及 切割黏附层,使得在剥除PSA带之后为每一半导体晶 片分开黏附层; 其中该剥除PSA带包括透过在剥除PSA带的方向被切 割成至少两吸取区域之多孔构件各自藉由经由与 多孔构件的吸取区域有关之至少两吸取路径的吸 取固定半导体晶圆,当在剥除PSA带的方向于下一次 剥除之相邻吸取区域附近剥除对应于该多孔构件 的相邻吸取区域之PSA带部分时,该吸取路径被选择 性开关;及 反应于切割黏附层的状态,平行于该至少两吸取路 径之间的开关实施该黏附层的切割。 17.一种制造半导体装置之方法,包含: 自半导体晶圆剥除压敏黏(PSA)带,半导体晶圆具有 在其上形成元件的元件形成表面,与元件形成表面 相对的后表面,及形成在整个后表面上的黏附层, PSA带黏附于半导体晶圆的元件形成表面;及 在剥除PSA带之后,将黏附层和半导体晶圆一起切割 成半导体晶片; 其中该剥除PSA带包括透过在剥除PSA带的方向被切 割成至少两吸取区域之多孔构件各自藉由经由与 多孔构件的吸取区域有关之至少两吸取路径的吸 取固定半导体晶圆,当在剥除PSA带的方向于下一次 剥除之相邻吸取区域附近剥除对应于该多孔构件 的相邻吸取区域之PSA带部分时,该吸取路径被选择 性开关;及 反应于切割半导体晶圆和黏附层的状态,平行于该 至少两吸取路径之间的开关实施该黏附层的切割 。 18.根据申请专利范围第16项之制造半导体装置的 方法, 其中半导体晶圆另外具有形成在元件形成表面上 之密封树脂及形成在密封树脂上之低介电常数绝 缘薄膜, PSA带透过密封树脂和低介电常数绝缘薄膜黏附于 半导体晶圆的元件形成表面,及 该制造半导体装置的方法另外包含熔融至少部分 低介电常数绝缘薄膜和密封树脂,以便固定低介电 常数绝缘薄膜在密封树脂上。 19.一种制造半导体装置之方法,包含: 自半导体晶圆剥除压敏黏(PSA)带,半导体晶圆具有 在其上形成元件的元件形成表面及形成在元件形 成表面上的黏附层,半导体晶圆已被割开分成半导 体晶片;及 在剥除PSA带之后切割黏附层,以便为每一半导体晶 片分开黏附层; 其中该剥除PSA带包括透过在剥除PSA带的方向被切 割成至少两吸取区域之多孔构件各自藉由经由与 多孔构件的吸取区域有关之至少两吸取路径的吸 取固定半导体晶圆,当在剥除PSA带的方向于下一次 剥除之相邻吸取区域附近剥除对应于该多孔构件 的相邻吸取区域之PSA带部分时,该吸取路径被选择 性开关;及 反应于切割黏附层的状态,平行于至少两吸取路径 之间的开关实施该黏附层的切割。 20.一种制造半导体装置之方法,包含: 自半导体晶圆分出的复数半导体晶片构成之半导 体晶圆剥除压敏黏(PSA)带,每一半导体晶片都具有 在其上形成元件的元件形成表面及在元件形成表 面上的黏附层,PSA带透过黏附层黏附于半导体晶圆 ; 其中该剥除PSA带包括透过在剥除PSA带的方向被切 割成至少两吸取区域之多孔构件藉由经由与多孔 构件的吸取区域有关之至少两吸取路径的吸取固 定半导体晶圆,及 当在剥除PSA带的方向于下一次剥除之相邻吸取区 域附近剥除对应于该多孔构件的相邻吸取区域之 PSA带部分时,该吸取路径在其间被选择性开关。 21.一种制造半导体装置之方法,包含: 自半导体晶圆剥除压敏黏(PSA)带,半导体晶圆具有 在其上形成元件的元件形成表面及形成在元件形 成表面上的黏附层,PSA带透过黏附层黏附于半导体 晶圆的元件形成表面;及 在剥除PSA带之后,将黏附层和半导体晶圆一起切割 成半导体晶片; 其中该剥除PSA带包括透过在剥除PSA带的方向被切 割成至少两吸取区域之多孔构件各自藉由经由与 多孔构件的吸取区域有关之至少两吸取路径的吸 取固定半导体晶圆,当在剥除PSA带的方向于下一次 剥除之相邻吸取区域附近剥除对应于该多孔构件 的相邻吸取区域之PSA带部分时,该吸取路径被选择 性开关;及 反应于切割黏附层和黏附层的状态,平行于至少两 吸取路径之间的开关实施该半导体晶圆和黏附层 的切割。 22.一种制造半导体装置之方法,包含: 自半导体晶圆剥除压敏黏(PSA)带,PSA带黏附于半导 体晶圆;及 在剥除PSA带之后,将半导体晶圆切割成半导体晶片 ; 其中该剥除PSA带包括透过在剥除PSA带的方向被切 割成至少两吸取区域之多孔构件藉由经由与多孔 构件的吸取区域有关之至少两吸取路径的吸取固 定半导体晶圆,当在剥除PSA带的方向于下一次剥除 之相邻吸取区域附近剥除对应于该多孔构件的相 邻吸取区域之PSA带部分时,该吸取路径在其间被选 择性开关;及 反应于切割半导体晶圆的状态,平行于至少两吸取 路径之间的开关实施该半导体晶圆的切割。 23.根据申请专利范围第15项之制造半导体装置的 方法, 其中复数通孔被设置在多孔构件上。 24.根据申请专利范围第15项之制造半导体装置的 方法,另外包含在多孔构件的吸取区域和被分成半 导体晶片的半导体晶圆之间插入板,板子具有各自 对应于半导体晶片的吸取孔。 25.根据申请专利范围第15项之制造半导体装置的 方法,另外包含用以在剥除PSA带之后利用吸取夹头 拾取每一半导体晶片之吸取。 图式简单说明: 图1A为用于本发明的第一实施例之半导体晶圆的 立体图; 图1B为沿着图1A的线A-A部位之剖面图; 图2为根据本发明的第一实施例之半导体制造装置 的概要配置之立体图; 图3A为用于图2的半导体制造装置之剥除机构和拾 取机构的晶圆吸取区之平面图; 图3B为沿着图3A的线3H-3H部位之剖面图; 图4A到4C为图2之半导体制造装置的晶圆吸取区和 割开成片状的半导体晶圆之间的位置关系平面图; 图5为操作图2之半导体制造装置的剥除机构之剖 面图; 图6A及6B为辅助板的配置例子图; 图7及8为操作图2之半导体制造装置的拾取机构之 剖面图; 图9A到9C为一安装拾起的半导体晶片之处理例子的 概要图; 图10A到13C为其他安装拾起的半导体晶片之处理例 子的剖面图; 图14A为用于本发明的第二实施例之半导体晶圆的 立体图; 图14B为沿着图14A的线B-B部位之剖面图; 图15A到15C为经由根据本发明的第二实施例之拾取 处理的剥除处理之处理剖面图; 图16A为用于本发明的第三实施例之半导体晶圆的 立体图; 图16B为沿着图16A的线C-C部位之剖面图; 图17A及17B为根据本发明的第三实施例之剥除处理 和拾取处理的处理剖面图; 图18A为用于本发明的第四实施例之半导体晶圆的 立体图; 图18B为沿着图18A的线D-D部位之剖面图; 图19A到19C为经由根据本发明的第四实施例之拾取 处理的剥除处理之处理剖面图; 图20A为用于本发明的第五实施例之半导体晶圆的 立体图; 图20B为沿着图20A的线E-E部位之剖面图; 图21A到21C为经由根据本发明的第五实施例之拾取 处理的剥除处理之处理剖面图; 图22A为用于本发明的第六实施例之半导体晶圆的 立体图; 图22B为沿着图22A的线F-F部位之剖面图; 图23A到23C为经由根据本发明的第六实施例之拾取 处理的剥除处理之处理剖面图; 图24A为用于本发明的第七实施例之半导体晶圆的 立体图; 图24B为沿着图24A的线G-G部位之剖面图; 图25A到25C为经由根据本发明的第七实施例之拾取 处理的剥除处理之处理剖面图; 图26A为不同于图3之晶圆吸取区的配置例子之另一 配置例子的平面图; 图26B为沿着图26A的线26H-26H部位之剖面图; 图27A为不同于图3之晶圆吸取区的配置例子之另一 配置例子的平面图; 图27B为沿着图27A的线27H-27H部位之剖面图; 图28A为不同于图3之晶圆吸取区的配置例子之另一 配置例子的平面图; 图28B为沿着图28A的线28H-28H部位之剖面图; 图29A为不同于图3之晶圆吸取区的配置例子之另一 配置例子的平面图; 图29B为沿着图29A的线29H-29H部位之剖面图; 图30A为不同于图3之晶圆吸取区的配置例子之另一 配置例子的平面图; 图30B为沿着图30A的线30H-30H部位之剖面图; 图31A为不同于图3之晶圆吸取区的配置例子之另一 配置例子的平面图; 图31B为沿着图31A的线31H-31H部位之剖面图; 图32A为不同于图3之晶圆吸取区的配置例子之另一 配置例子的平面图; 图32B为沿着图32A的线32H-32H部位之剖面图; 图33A为不同于图3之晶圆吸取区的配置例子之另一 配置例子的平面图; 图33B为沿着图33A的线33H-33H部位之剖面图; 图34A为不同于图3之晶圆吸取区的配置例子之另一 配置例子的平面图; 图34B为沿着图34A的线34H-34H部位之剖面图; 图35A为不同于图3之晶圆吸取区的配置例子之另一 配置例子的平面图; 图35B为沿着图35A的线35H-35H部位之剖面图; 图36A为不同于图3之晶圆吸取区的配置例子之另一 配置例子的平面图; 图36B为沿着图36A的线36H-36H部位之剖面图; 图37A为不同于图3之晶圆吸取区的配置例子之另一 配置例子的平面图; 图37B为沿着图37A的线37H-37H部位之剖面图; 图38A为不同于图3之晶圆吸取区的配置例子之另一 配置例子的平面图; 图38B为沿着图38A的线38H-38H部位之剖面图; 图39A为不同于图3之晶圆吸取区的配置例子之另一 配置例子的平面图; 图39B为沿着图39A的线39H-39H部位之剖面图; 图40A为不同于图3之晶圆吸取区的配置例子之另一 配置例子的平面图; 图40B为沿着图40A的线40H-40H部位之剖面图; 图41A为不同于图3之晶圆吸取区的配置例子之另一 配置例子的平面图; 图41B为沿着图41A的线41H-41H部位之剖面图; 图42A为不同于图3之晶圆吸取区的配置例子之另一 配置例子的平面图; 图42B为沿着图42A的线42H-42H部位之剖面图; 图43A为不同于图3之晶圆吸取区的配置例子之另一 配置例子的平面图; 图43B为沿着图43A的线43H-43H部位之剖面图; 图44A为不同于图3之晶圆吸取区的配置例子之另一 配置例子的平面图; 图44B为沿着图44A的线44H-44H部位之剖面图; 图45A为不同于图3之晶圆吸取区的配置例子之另一 配置例子的平面图; 图45B为沿着图45A的线45H-45H部位之剖面图; 图46A为不同于图3之晶圆吸取区的配置例子之另一 配置例子的平面图; 图46B为沿着图46A的线46H-46H部位之剖面图; 图47A为不同于图3之晶圆吸取区的配置例子之另一 配置例子的平面图; 图47B为沿着图47A的线47H-47H部位之剖面图; 图48A为不同于图3之晶圆吸取区的配置例子之另一 配置例子的平面图; 图48B为沿着图48A的线48H-48H部位之剖面图; 图49A为配备有用于本发明的半导体晶圆之晶圆环 的例子之立体图; 图49B为沿着图49A的线J-J部位之剖面图; 图50A为用于本发明的第八实施例之半导体晶圆的 立体图; 图50B为沿着图50A的线K-K部位之剖面图; 图51A到51D为经由根据本发明的第八实施例之拾取 处理的剥除处理之处理剖面图; 图52A到图52D及图53为比较例子的概要图; 图54为本发明的第八实施例之效果的概要图; 图55为自PSA带拾取半导体晶片时习知拾取装置的 必要组件之放大剖面图; 图56A到56B各自为当半导体晶片的厚度是100m或更 多时出现的裂痕之半导体晶片的剖面图和平面图; 图57A及57B各自为当半导体晶片的厚度是100m或更 多时出现的另一裂痕之半导体晶片的剖面图和平 面图。 |
