| 主权项 |
1.一种薄膜电晶体显示器之制作方法,其步骤包含: 提供一牺牲层(release layer); 形成一高分子层于该牺牲层上; 形成一电极层于该高分子层上; 形成一配向层于该电极层上; 形成一高分子包覆液晶层于该配向层上,以制得一 液晶基板; 提供一薄膜电晶体基板,且该薄膜电晶体基板具有 一高分子之保护层,并以层压(laminatin)方式结合该 薄膜电晶体基板与该液晶基板;及 除去该牺牲层,以制得该薄膜电晶体显示器。 2.如申请专利范围第1项所述之薄膜电晶体显示器 之制作方法,其中该薄膜电晶体基板系由选自有机 、无机或有机与无机混合之薄膜电晶体材料之群 组组合的薄膜电晶体所制成。 3.如申请专利范围第1项所述之薄膜电晶体显示器 之制作方法,其中该牺牲层系包括一支撑基板与一 离型层,该离型层系位于该支撑基板上。 4.如申请专利范围第1项所述之薄膜电晶体显示器 之制作方法,其中该形成该高分子分散液晶层之步 骤系包含: 形成一前驱物混合层于该电极层上,且该前驱物混 合层系由一液晶与一高分子混合所制得;及 利用光照使该前驱物混合层之该液晶与该高分子 进行相分离,以形成该高分子包覆液晶层。 5.如申请专利范围第4项所述之薄膜电晶体显示器 之制作方法,其中该利用光照使形成该前驱物混合 层之该液晶与该高分子进行相分离之步骤,系对于 该前驱物混合层进行全面性的光照。 6.如申请专利范围第4项所述之薄膜电晶体显示器 之制作方法,其中该利用光照使形成该前驱物混合 层之该液晶与该高分子进行相分离之步骤,系对于 该前驱物混合层进行局部性的光照,以形成包含复 数个间隔物之该高分子分散液晶层。 7.如申请专利范围第4项所述之薄膜电晶体显示器 之制作方法,其中该前驱物混合层之该高分子系选 自光聚合材料。 8.如申请专利范围第1项所述之薄膜电晶体显示器 之制作方法,其中该以层压方式结合该薄膜电晶体 基板与该液晶基板之步骤中,系包括一加热该薄膜 电晶体基板之该保护层之步骤。 9.如申请专利范围第1项所述之薄膜电晶体显示器 之制作方法,其中该以层压方式结合该薄膜电晶体 基板与该液晶基板之步骤中,系包括一光照该薄膜 电晶体基板之该保护层之步骤。 10.如申请专利范围第1项所述之薄膜电晶体显示器 之制作方法,其中该高分子层系为聚亚醯胺( polyimide, PI)。 11.如申请专利范围第10项所述之薄膜电晶体显示 器之制作方法,其中该高分子层之厚度系介于3~25 微米(m)。 12.如申请专利范围第1项所述之薄膜电晶体显示器 之制作方法,其中该高分子之保护层系选自热固性 材料与光聚合材料之群组组合。 13.如申请专利范围第12项所述之薄膜电晶体显示 器之制作方法,其中该高分子之保护层系为聚乙烯 醇(PVA)。 14.如申请专利范围第12项所述之薄膜电晶体显示 器之制作方法,其中该高分子之保护层包含一无机 材料。 15.如申请专利范围第1项所述之薄膜电晶体显示器 之制作方法,其中该薄膜电晶体基板系由选自下接 触式(bottom contact)、上接触式(top contact)、下闸极( bottom gate)与上闸极(top gate)之薄膜电晶体之群组组 合的薄膜电晶体所制成。 16.如申请专利范围第1项所述之薄膜电晶体显示器 之制作方法,其中该薄膜电晶体基板系包含一高分 子之支撑基板。 17.如申请专利范围第1项所述之薄膜电晶体显示器 之制作方法,其中该薄膜电晶体基板系包含一无机 材料之支撑基板。 图式简单说明: 第1图,系本发明之薄膜电晶体显示器之制作方法 之流程图; 第2A图~第2I图,系本发明之实施例之有机薄膜电晶 体显示器的制作流程; 第3图,系本发明之实施例中采取局部性的光照方 式形成高分子包覆液晶层之示意图;及 第4A图与第4B图,系分别为本发明之实施例中透过 加热或光照方式结合液晶基板与有机薄膜电晶体 基板之示意图。 |
