| 主权项 |
1.一种电容式微型麦克风之麦克风晶片的制造方 法,包含: (a)在一基板上依序定义形成一脱离层、一第一电 极层,及一振膜层; (b)在该振膜层上形成一牺牲层,使该牺牲层遮覆该 振膜层之一振膜区域,且使该振膜层之一环围该振 膜区域之一种晶区域裸露; (c)在该牺牲层与该振膜层之种晶区域上对应该牺 牲层与该种晶区域之态样依序定义一第二电极层, 及一强固层,且该第二电极层与该强固层对应该振 膜区域形成一音孔图像,而使该牺牲层对应该音孔 图像之区域以对应该音孔图像的态样裸露; (d)自该牺牲层对应该音孔图像之区域的裸露处蚀 刻移除该牺牲层,使该第一电极层、振膜层、第二 电极层与该强固层共同形成一麦克风晶片;及 (e)以对应该脱离层之形成材料的蚀刻液蚀刻移除 该脱离层,使该麦克风晶片与该基板相分离,取得 该麦克风晶片。 2.依据申请专利范围第1项所述电容式微型麦克风 之麦克风晶片的制造方法,其中,该脱离层之构成 材料的选择原则为当蚀刻移除该牺牲层时,所对应 使用之蚀刻液不会伤害麦克风其他结构。 3.依据申请专利范围第2项所述电容式微型麦克风 之麦克风晶片的制造方法,其中,该脱离层是选自 下列所构成的群组为材料定义形成:铝、氧化物、 高分子材料,及此等之组合。 4.依据申请专利范围第1项所述电容式微型麦克风 之麦克风晶片的制造方法,其中,该第一、二电极 层是分别选自下列所构成之群组为材料定义形成: 铬、金、钽、铂、铝、钯、钨、铜、镍,及此等之 组合。 5.依据申请专利范围第1项所述电容式微型麦克风 之麦克风晶片的制造方法,其中,该振膜层是选自 下列所构成的群组为材料定义形成:聚亚醯胺、氮 化矽、氧化矽、金属,及此等之组合。 6.依据申请专利范围第1项所述电容式微型麦克风 之麦克风晶片的制造方法,其中,该牺牲层是选自 下列所构成的群组为材料定义形成:二氧化矽、铝 、高分子材料,及此等之组合。 7.依据申请专利范围第1或6项所述电容式微型麦克 风之麦克风晶片的制造方法,其中,该步骤(b)是以 电浆辅助化学气相沉积出该牺牲层。 8.依据申请专利范围第1项所述电容式微型麦克风 之麦克风晶片的制造方法,其中,该强固层是选自 下列所构成的群组为材料形成:镍、铜、钴、铁、 压克力、聚亚醯胺,及此等之组合。 9.依据申请专利范围第1或8项所述电容式微型麦克 风之麦克风晶片的制造方法,其中,该步骤(c)是以 第二电极层作为晶种,以电镀方式在该第二电极层 上形成该强固层。 10.依据申请专利范围第1项所述电容式微型麦克风 之麦克风晶片的制造方法,其中,该步骤(e)在该麦 克风晶片与该基板相分离以取得该麦克风晶片后, 并回收该基板以重复利用。 11.一种电容式微型麦克风的麦克风晶片,封装于一 壳座中而成该电容式微型麦克风,该麦克风晶片包 含: 一振膜,与该壳座之一封装壁相间隔地连结,而与 该封装壁共同界定出一供该振膜形变用之振动空 间,该振膜具有一以导体材料构成的第一电极层, 及一以绝缘材料构成的振膜层,该振膜层并包括一 振膜区域,及一环围该振膜区域的种晶区域,该振 膜区域可因外界的声能作用而产生对应形变;及 一气室单元,具有一以导体材料构成的第二电极层 ,及一定义形成于该第二电极层上的强固层,该第 二电极层与该强固层并共同形成一自该种晶区域 向相反于该第一电极层方向延伸的气室壁,及一具 有一音孔图像之背板,该背板、气室壁与该振膜层 之振膜区域共同界定一以该音孔图像与外界相通 以供气流流动之气室。 12.依据申请专利范围第11项所述电容式微型麦克 风的麦克风晶片,是以申请专利第1项所述电容式 微型麦克风之麦克风晶片的制造方法所制造。 13.依据申请专利范围第11项所述电容式微型麦克 风的麦克风晶片,其中,该第一、二电极层分别是 选自下列所构成之群组为材料定义形成:铬、金、 钽、铂、铝、钯、钨、铜、镍,及此等之组合。 14.依据申请专利范围第11项所述电容式微型麦克 风的麦克风晶片,其中,该振膜层是选自下列所构 成之群组为材料定义形成:聚亚醯胺、氮化矽、氧 化矽、金属,及此等之组合。 15.依据申请专利范围第11项所述电容式微型麦克 风的麦克风晶片,其中,该强固层是选自下列所构 成之群组为材料定义形成:镍、铜、钴、铁、压克 力、聚亚醯胺,及此等之组合。 16.依据申请专利范围第11或15项所述电容式微型麦 克风的麦克风晶片,其中,该强固层是以电镀方式 形成于该第二电极层上。 17.依据申请专利范围第11项所述电容式微型麦克 风的麦克风晶片,其中,该振膜层写入电荷以定义 出一电容。 18.依据申请专利范围第11项所述电容式微型麦克 风的麦克风晶片,其中,该振膜层之振膜区域的截 面成平板态样。 19.依据申请专利范围第11项所述电容式微型麦克 风的麦克风晶片,其中,该振膜层之振膜区域的截 面成凹凸皱折态样。 20.一种电容式微型麦克风的制造方法,包含: (a)在一基板上依序定义形成一脱离层、一第一电 极层,及一振膜层; (b)在该振膜层上形成一牺牲层,使该牺牲层遮覆该 振膜层之一振膜区域,且使该振膜层之一环围该振 膜区域之一种晶区域裸露; (c)在该牺牲层与该振膜层之种晶区域上对应该牺 牲层与该种晶区域之态样依序定义一第二电极层, 及一强固层,且该第二电极层与该强固层对应该振 膜区域形成一音孔图像,而使该牺牲层对应该音孔 图像之区域以对应该音孔图像的态样裸露; (d)自该牺牲层对应该音孔图像之区域的裸露处蚀 刻移除该牺牲层,使该第一电极层、振膜层、第二 电极层与该强固层共同形成一麦克风晶片; (e)以对应该脱离层之形成材料的蚀刻液蚀刻移除 该脱离层,使该麦克风晶片与该基板相分离,取得 该麦克风晶片;及 (f)将该麦克风晶片封装于一可供声能穿透之壳座 中,制得该电容式微型麦克风。 21.依据申请专利范围第20项所述电容式微型麦克 风的制造方法,其中,铝、氧化物、高分子材料,及 此等之组合。 22.依据申请专利范围第20项所述电容式微型麦克 风的制造方法,其中,该第一、二电极层是分别选 自下列所构成之群组为材料定义形成:铬、金、钽 、铂、铝、钯、钨、铜、镍,及此等之组合。 23.依据申请专利范围第20项所述电容式微型麦克 风的制造方法,其中,该振膜层是选自下列所构成 的群组为材料定义形成:聚亚醯胺、氮化矽、氧化 矽、金属,及此等之组合。 24.依据申请专利范围第20项所述电容式微型麦克 风的制造方法,其中,该牺牲层是选自下列所构成 的群组为材料定义形成:二氧化矽、铝、高分子材 料,及此等之组合。 25.依据申请专利范围第20或24项所述电容式微型麦 克风的制造方法,其中,该步骤(b)是以电浆辅助化 学气相沉积出该牺牲层。 26.依据申请专利范围第20项所述电容式微型麦克 风的制造方法,其中,该强固层是选自下列所构成 的群组为材料形成:镍、铜、钴、铁、压克力、聚 亚醯胺,及此等之组合。 27.依据申请专利范围第20或26项所述电容式微型麦 克风的制造方法,其中,该步骤(c)是以第二电极层 作为晶种,以电镀方式在该第二电极层上形成该强 固层。 28.依据申请专利范围第20项所述电容式微型麦克 风的制造方法,其中,该步骤(e)在该麦克风晶片与 该基板相分离以取得该麦克风晶片后,并回收该基 板以重复利用。 29.依据申请专利范围第20项所述电容式微型麦克 风的制造方法,其中,该步骤(f)更将一可将电容变 化转换成电压变化之场效电晶体与该麦克风晶片 彼此电连接地封装于该壳座中。 30.一种电容式微型麦克风,包含: 一壳座,具有一可供声能穿透并界定出一封装空间 的壳体;及 一封装于该封装空间的麦克风晶片,具有一振膜及 一气室单元,该振膜包括一以导体材料构成的第一 电极层,及一以绝缘材料形成在该第一电极层上的 振膜层,该第一电极层与该壳体相间隔地连结,而 与该壳体共同界定出一供该振膜形变所需的振动 空间,该振膜层包括一可因外界的声能作用而产生 对应形变的振膜区域,及一环围该振膜区域的种晶 区域,该气室单元具有一以导体材料构成的第二电 极层,及一形成于该第二电极层上的强固层,该第 二电极层与该强固层并共同形成一自该种晶区域 向相反于该第一电极层方向延伸的气室壁,及一具 有一音孔图像之背板,该背板、气室壁与该振膜层 之振膜区域共同界定一以该音孔图像与该封装空 间相通以供气流流动之气室。 31.依据申请专利范围第30项所述电容式微型麦克 风,是以申请专利第20项所述电容式微型麦克风的 制造方法所制造。 32.依据申请专利范围第30项所述电容式微型麦克 风,其中,该第一、二电极层分别是选自下列所构 成之群组为材料定义形成:铬、金、钽、铂、铝、 钯、钨、铜、镍,及此等之组合。 33.依据申请专利范围第30项所述电容式微型麦克 风,其中,该振膜层是选自下列所构成之群组为材 料定义形成:聚亚醯胺、氮化矽、氧化矽、金属, 及此等之组合。 34.依据申请专利范围第30项所述电容式微型麦克 风,其中,该强固层是选自下列所构成之群组为材 料定义形成:镍、铜、钴、铁、压克力、聚亚醯胺 ,及此等之组合。 35.依据申请专利范围第30或34项所述电容式微型麦 克风,其中,该强固层是以电镀方式形成于该第二 电极层上。 36.依据申请专利范围第30项所述电容式微型麦克 风,其中,该振膜层并写入电荷以定义成电容。 37.依据申请专利范围第30项所述电容式微型麦克 风,其中,该振膜层之振膜区域的截面成平板态样 。 38.依据申请专利范围第30项所述电容式微型麦克 风,其中,该振膜层之振膜区域的截面成凹凸皱折 态样。 39.依据申请专利范围第30项所述电容式微型麦克 风,更包含一封装于该封装空间中并与该麦克风晶 片对应电连接之场效电晶体,可将该麦克风晶片之 电容变化转换成电压变化。 图式简单说明: 图1是一流程图,说明本发明电容式微型麦克风之 麦克风晶片的制造方法之第一较佳实施例; 图2是一剖视示意图,说明以图1之本发明电容式微 型麦克风之麦克风晶片的制造方法所制成的麦克 风晶片; 图3是一流程图,说明本发明电容式微型麦克风之 麦克风晶片的制造方法之第二较佳实施例; 图4是一剖视示意图,说明以图3之本发明电容式微 型麦克风之麦克风晶片的制造方法所制成的麦克 风晶片; 图5是一剖视示意图,说明以图2所示之麦克风晶片 封装成一电容式微型麦克风;及 图6是一剖视示意图,说明以图2所示之麦克风晶片 封装成另一态样之电容式微型麦克风。 |
