| 主权项 |
1.一种直角式讯号线之制作方法,系于构成一线路 之直角区域之一第一线路段与一第二线路段之间 形成一半导体接面,包含有: 进行一第一微影程序,以定义该第一线路段之一第 一离子植入区域; 对该第一离子植入区域进行离子布植,以形成一第 一导电态样区域; 进行一第二微影程序,以定义该第二线路段之一第 二离子植入区域;及 对该第二离子植入区域进行离子布植,以形成一第 二导电态样区域。 2.如申请专利范围第1项所述之制作方法,其中该第 一导电态样区域为一P型半导体层。 3.如申请专利范围第1项所述之制作方法,其中该第 二导电态样区域为一N型半导体层。 4.如申请专利范围第1项所述之制作方法,其中该第 一导电态样区域与该第二导电态样区域于该直角 区域形成一接面。 5.如申请专利范围第4项所述之制作方法,其中该接 面方向与该第一线路段方向成45度夹角。 6.如申请专利范围第1项所述之制作方法,其中该第 一微影程序更包含下列步骤: 形成一光阻层于该线路上; 利用一光罩遮蔽该直角区域之该第二线路段,以曝 光该第一线路段之该光阻层;及 去除该第一线路段之该光阻层。 7.如申请专利范围第6项所述之制作方法,其中该光 阻层为一正型光阻材质。 8.如申请专利范围第1项所述之制作方法,其中该第 二微影程序更包含下列步骤: 形成一光阻层于该线路上; 利用一光罩遮蔽该直角区域之该第一线路段,以曝 光该第二线路段之该光阻层;及 去除该第二线路段之该光阻层。 9.如申请专利范围第8项所述之制作方法,其中该光 阻层为一正型光阻材质。 10.如申请专利范围第1项所述之制作方法,其中该 第一导电态样区域之长度小于该第一线路段之长 度。 11.如申请专利范围第10项所述之制作方法,其中该 第二导电态样区域之长度小于该第二线路段之长 度。 12.如申请专利范围第1项所述之制作方法,其中该 第一导电态样区域之长度与该第一线路段之长度 相等。 13.如申请专利范围第12项所述之制作方法,其中该 第二导电态样区域之长度与该第二线路段之长度 相等。 14.一种直角式讯号线之电路板,包含有: 一基板,系由一半导体材料组成;及 一直角区域线路层,形成于该基板中,包含: 一第一线路段,具有一第一导电态样区域;及 一第二线路段,具有一第二导电态样区域,与该第 一线路段连接,以形成该直角区域线路层,且该第 一导电态样区域与该第二导电态样区域形成一半 导体接面。 15.如申请专利范围第14项所述之电路板,其中该第 一导电态样区域为一P型半导体层。 16.如申请专利范围第14项所述之电路板,其中该第 二导电态样区域为一N型半导体层。 17.如申请专利范围第14项所述之电路板,其中该半 导体接面方向与该第一线路段方向成45度夹角。 18.如申请专利范围第14项所述之电路板,其中该第 一导电态样区域之长度小于该第一线路段之长度 。 19.如申请专利范围第18项所述之电路板,其中该第 二导电态样区域之长度小于该第二线路段之长度 。 20.如申请专利范围第14项所述之电路板,其中该第 一导电态样区域之长度与该第一线路段之长度相 等。 21.如申请专利范围第20项所述之电路板,其中该第 二导电态样区域之长度与该第二线路段之长度相 等。 图式简单说明: 第1A图系为先前技术所提之直角区域之讯号反射 示意图; 第1B图系为先前技术所提之线路转折示意图; 第1C图系为先前技术所提之线路转折示意图; 第1D图系为先前技术所提之线路转折示意图; 第2A图系为本发明所提之线路转折示意图; 第2B图系为本发明所提之线路转折示意图; 第3A图系为本发明所提之第2A图沿着A-A'线段之电 路板剖面形成示意图; 第3B图系为本发明所提之第2A图沿着A-A'线段之电 路板剖面形成示意图; 第3C图系为本发明所提之第2A图沿着A-A'线段之电 路板剖面形成示意图; 第3D图系为本发明所提之第2A图沿着A-A'线段之电 路板剖面形成示意图;及 第4图系为本发明所提之步骤流程图。 |
