| 主权项 |
1.一种微结构,包括: 一基板,系具有一表面;以及 一结构层,系设置于该基板之该表面上并具有至少 一凹部,且该凹部具有一侧壁、一深度与一宽度; 其中,该凹部之加工精度系不大于0.01 mm,且该侧壁 之倾斜角度不小于5度,且该深度与该宽度之比値 不小于2。 2.如申请专利范围第1项所述之微结构,其中该凹部 之特征尺寸系不大于0.5 mm。 3.如申请专利范围第1项所述之微结构,其中该深度 系不小于0.03 mm。 4.如申请专利范围第1项所述之微结构,其中该基板 之该表面之粗糙度系大于50 nm。 5.如申请专利范围第1项所述之微结构,其中该结构 层可以系为一光阻层,该光阻层之材质系为一正型 感光材料或一负型感光材料。 6.如申请专利范围第5项所述之微结构,其中该光阻 层之材质系为一单层感光材料或一多层感光材料 。 7.如申请专利范围第1项所述之微结构,其中该凹部 具有两侧壁,该等两侧壁系为对称式或是非对称式 。 8.如申请专利范围第1项所述之微结构,其中该基板 系为一透光基板、一半透光基板或一不透光基板 。 9.如申请专利范围第8项所述之微结构,其中当该基 板为透光基板或半透光基板时,该凹部之一底面具 有一不透光区。 10.如申请专利范围第1项所述之微结构,其系应用 于一微机电系统。 11.一种微结构之制造方法,包括下列步骤: 提供一基板; 于该基板上形成一光阻层; 于该光阻层之上提供一光罩,该光罩具有一预定图 样; 提供一光源透过该光罩而照射该光阻层;以及 去除部分该光阻层,使该光阻层形成至少一凹部, 且该凹部具有一侧壁、一深度与一宽度,该侧壁之 倾斜角度不小于5度,且该深度与该宽度之比値不 小于2。 12.如申请专利范围第11项所述之微结构之制造方 法,其中该基板具有一表面,该表面之粗糙度系大 于50 nm。 13.如申请专利范围第11项所述之微结构之制造方 法,其中该基板具有一表面,更包含下列步骤: 提供一不平坦层,位于该基板之该表面上。 14.如申请专利范围第13项所述之微结构之制造方 法,其中不平坦层之粗糙度系大于50 nm。 15.如申请专利范围第11项所述之微结构之制造方 法,其中该凹部之特征尺寸系不大于0.5 mm。 16.如申请专利范围第11项所述之微结构之制造方 法,其中该凹部之加工精度系不大于0.01 mm。 17.如申请专利范围第11项所述之微结构之制造方 法,其中所形成该光阻层之厚度系不小于0.03 mm。 18.如申请专利范围第11项所述之微结构之制造方 法,其中该基板之该表面系经由一表面粗糙化加工 程序以形成一粗糙表面。 19.如申请专利范围第18项所述之微结构之制造方 法,其中该表面粗糙化加工程序系选自于下列群组 :喷砂程序、一放电程序、一雷射蚀刻程序、一电 浆蚀刻程序或一化学蚀刻程序以形成粗糙表面。 20.如申请专利范围第11项所述之微结构之制造方 法,其中该凹部系经由一黄光微影制程而形成。 21.如申请专利范围第20项所述之微结构之制造方 法,其中该凹部之该倾斜角度系由该光源于该表面 产生之一散射现象而形成。 22.如申请专利范围第11项所述之微结构之制造方 法,其中所述提供该光源透过该光罩而照射该光阻 层之步骤更进一步包含下列步骤: 提供该光源与该光阻层形成一第一夹角,并透过该 光罩而照射该光阻层;以及 调整该光源与该光阻层形成一第二夹角,并透过该 光罩而照射该光阻层。 23.如申请专利范围第22项所述之微结构之制造方 法,其中该第一夹角与该第二夹角系利用调整该光 源之位置而形成。 24.如申请专利范围第22项所述之微结构之制造方 法,其中该第一夹角与该第二夹角系利用调整该光 阻层与该基板之位置而形成。 25.一种微结构之制造方法,包括下列步骤: 提供一基板,该基板具有一表面,该表面具有至少 一不透光区以及一透光区; 于该基板之该表面上形成一光阻层; 提供一光源透过该透光基板而照射该光阻层;以及 去除部分该光阻层,使该光阻层形成至少一凹部, 且该凹部具有一侧壁、一深度与一宽度,该侧壁之 倾斜角度不小于5度,且该深度与该宽度之比値不 小于2。 26.如申请专利范围第25项所述之微结构之制造方 法,其中该凹部之特征尺寸系不大于0.5 mm。 27.如申请专利范围第25项所述之微结构之制造方 法,其中该凹部之加工精度系不大于0.01 mm。 28.如申请专利范围第25项所述之微结构之制造方 法,其中所形成该光阻层之厚度系不小于0.03 mm。 29.如申请专利范围第25项所述之微结构之制造方 法,其中该凹部系经由一黄光微影制程而形成。 30.如申请专利范围第29项所述之微结构之制造方 法,其中该凹部之该倾斜角度系由该光源产生之一 绕射现象及/或一折射现象而形成。 31.如申请专利范围第25项所述之微结构之制造方 法,其中该基板之该透光区上更包含一透镜。 图式简单说明: 第1图为一种习知微机电系统中倾斜侧壁结构的制 造流程之示意图; 第2图为依据本发明较佳实施例之一种微结构之一 示意图; 第3图为依据本发明较佳实施例之一种微结构之另 一示意图; 第4A图至第4E图为依据本发明第一实施例之一种微 结构之制造方法之流程示意图; 第5A图至第5F图为依据本发明第二实施例之一种微 结构之制造方法之流程示意图;以及 第6A图至第6D图为依据本发明第三实施例之一种微 结构之制造方法之流程示意图。 第7A图至第7D图为依据本发明第四实施例之一种微 结构之制造方法之流程示意图。 |
