| 主权项 |
1.一种导电凸块的结构,包含: 一导电接垫于一晶圆上; 一保护层覆盖于该晶圆上并暴露出部分该导电接 垫; 一导电阻障层接触并位于该暴露出的导电接垫上; 一以镍为主的柱状润湿层接触并位于该导电阻障 层上;及 一导电凸块接触并位于该以镍为主的柱状润湿层 上,其中该以镍为主的柱状润湿层深入该导电凸块 中。 2.如申请专利范围第1项所述之导电凸块的结构,其 中该导电阻障层包含: 一黏着层接触并位于该暴露出的导电接垫上;及 一扩散阻障层接触并位于该黏着层上。 3.如申请专利范围第2项所述之导电凸块的结构,其 中该黏着层包含选自下列族群之一:钛(Ti)、铬(Cr) 、镍铬合金(NiCr)、铝(Al)以及钽(Ta)。 4.如申请专利范围第2项所述之导电凸块的结构,其 中该扩散阻障层包含选自下列族群之一:铂(Pt)、 钯(Pd)、镍(Ni)、铷(Rh)、钨(W)以及钼(Mo)。 5.如申请专利范围第1项所述之导电凸块的结构,其 中该导电接垫包含选自下列族群之一:铝以及铜接 垫。 6.如申请专利范围第1项所述之导电凸块的结构,其 中该晶圆包含一矽晶圆。 7.如申请专利范围第1项所述之导电凸块的结构,其 中该保护层包含选自下列族群之一:氧化物、氮化 物以及其他有机材料。 8.如申请专利范围第1项所述之导电凸块的结构,其 中该导电阻障层包含一钽/氮化钽层基材料。 9.如申请专利范围第1项所述之导电凸块的结构,其 中该以镍为主的柱状润湿层之侧壁内缩于该导电 阻障层上。 10.如申请专利范围第1项所述之导电凸块的结构, 其中该以镍为主的柱状润湿层包含一镍金属。 11.如申请专利范围第1项所述之导电凸块的结构, 其中该以镍为主的柱状润湿层包含一镍合金。 12.如申请专利范围第1项所述之导电凸块的结构, 其中该导电凸块包含一无铅锡球。 13.一种制造导电凸块的方法,包含: 形成一导电接垫于一晶圆上; 形成一保护层覆盖于该晶圆上并暴露出部分该导 电接垫; 形成一导电阻障层于该暴露出的导电接垫上; 形成一遮罩层于该晶圆上并暴露出部分该导电阻 障层; 形成一以镍为主的柱状润湿层于该暴露出的导电 阻障层; 形成一导电凸块于该以镍为主的柱状润湿层上,使 该以镍为主的柱状润湿层深入该导电凸块中;及 移除该遮罩层。 14.如申请专利范围第13项所述之制造导电凸块的 方法,其中形成该导电阻障层的步骤包含: 形成一黏着层于该暴露出的导电接垫上;及 形成一扩散阻障层于该黏着层上。 15.如申请专利范围第13项所述之制造导电凸块的 方法,其中形成该以镍为主的柱状润湿层的步骤包 含以电镀的方式形成。 16.如申请专利范围第13项所述之制造导电凸块的 方法,其中形成该以镍为主的柱状润湿层的步骤包 含以溅镀的方式形成。 17.如申请专利范围第13项所述之制造导电凸块的 方法,其中形成该导电凸块的步骤包含以网印的方 式形成无锡铅(lead-free)凸块。 18.如申请专利范围第13项所述之制造导电凸块的 方法,其中形成该导电凸块的步骤包含以电镀的方 式形成无锡铅(lead-free)凸块。 19.如申请专利范围第13项所述之制造导电凸块的 方法,更包含回焊该导电凸块。 20.一种导电凸块的结构,包含: 一导电接垫于一晶圆上; 一保护层覆盖于该晶圆上并暴露出部分该导电接 垫; 一凸块下金属层接触并位于该暴露出的导电接垫 上; 一柱状镍金属层接触并位于该凸块下金属层上;及 一导电凸块接触并位于该凸块下金属层上,且包覆 该柱状镍金属层。 21.如申请专利范围第20项所述之导电凸块的结构, 其中该凸块下金属层包含: 一黏着层接触并位于该暴露出的导电接垫上; 一扩散阻障层接触并位于该黏着层上;及 一润湿层接触并位于该扩散阻障层上。 22.如申请专利范围第21项所述之导电凸块的结构, 其中该黏着层包含选自下列族群之一:钛(Ti)、铬( Cr)、镍铬合金(NiCr)、铝(Al)以及钽(Ta)。 23.如申请专利范围第21项所述之导电凸块的结构, 其中该扩散阻障层包含选自下列族群之一:铂(Pt) 、钯(Pd)、镍(Ni)、铷(Rh)、钨(W)以及钼(Mo)。 24.如申请专利范围第21项所述之导电凸块的结构, 其中该润湿层包含一镍合金。 25.如申请专利范围第21项所述之导电凸块的结构, 其中该润湿层包含一镍金属。 26.如申请专利范围第20项所述之导电凸块的结构, 其中该导电接垫包含选自下列族群之一:铝以及铜 接垫。 27.如申请专利范围第20项所述之导电凸块的结构, 其中该晶圆包含一矽晶圆。 28.如申请专利范围第20项所述之导电凸块的结构, 其中该保护层包含选自下列族群之一:氧化物、氮 化物以及其他有机材料。 29.如申请专利范围第20项所述之导电凸块的结构, 其中该柱状镍金属层之侧壁内缩于该凸块下金属 层上。 图式简单说明: 第一图所示为现今习知以薄膜电沉积制程制备锡 铅凸块的结构剖面示意图。 第二A图至第二C图所示为根据本发明之一实施例 制备导电凸块的方法与结构的剖面示意图。 如第三图所示为根据本发明之另一实施例,说明导 电凸块的剖面示意图。 |
