| 主权项 |
1.一种场发射显示器之电子发射源表面活化的方 法,用以活化电子发射源表面之方法包括有: a)、先取一烧结后之阴极结构; b)、利用一喷涂装置将溶液喷涂于上述阴极结构, 以形成一披覆层; c)、待,上述阴极结构上所形成之披覆层乾燥后,利 用一脱膜装置将阴极结构表面之披覆层脱模,以移 除阴极结构之电子发射源表面之残余碳材或有机 氧化物。 2.如申请专利范围第1项所述之场发射显示器之电 子发射源表面活化的方法,其中,该阴极结构为一 三极场发射显示器。 3.如申请专利范围第2项所述之场发射显示器之电 子发射源表面活化的方法,其中,该阴极结构至少 包括有一基板,于前述基板上形成有一电极层,此 电极层上形成有一介电层,于前述之介电层上形成 有一闸极电极层,于前述之闸极电极层上形成有一 穿孔,以及暴露电极层之凹陷区域,再利用奈米碳 管于电极层上形成有一电子发射源。 4.如申请专利范围第1项所述之场发射显示器之电 子发射源表面活化的方法,其中,该喷涂装置为一 高压空气填充灌。 5.如申请专利范围第1项所述之场发射显示器之电 子发射源表面活化的方法,其中,该喷涂装置为一 喷枪。 6.如申请专利范围第5项所述之场发射显示器之电 子发射源表面活化的方法,其中,该喷枪以高压空 气之压送方式将涂料雾化喷涂于阴极结构之电子 发射源表面上。 7.如申请专利范围第5项所述之场发射显示器之电 子发射源表面活化的方法,其中,该喷枪为了配合 使用涂布溶液及悬浮之固含量比例,选用之涂装喷 枪空气进气流量至少大于200 l/min。 8.如申请专利范围第1项所述之场发射显示器之电 子发射源表面活化的方法,其中,该溶液可调制PVA 或PVP之任一种溶液。 9.如申请专利范围第8项所述之场发射显示器之电 子发射源表面活化的方法,其中,该溶液之溶度为5% ~10%之水性溶液。 10.如申请专利范围第9项所述之场发射显示器之电 子发射源表面活化的方法,其中,该溶液之常温黏 度控制在1000cps以下。 11.如申请专利范围第9项所述之场发射显示器之电 子发射源表面活化的方法,其中,该溶液加热50~80℃ 后黏度可控制在500cps以下。 12.如申请专利范围第1项所述之场发射显示器之电 子发射源表面活化的方法,其中,在喷涂过程中喷 涂装置需加热50~80℃。 13.如申请专利范围第1项所述之场发射显示器之电 子发射源表面活化的方法,其中,在喷涂过程中阴 极结构需加热50~80℃。 14.如申请专利范围第1项所述之场发射显示器之电 子发射源表面活化的方法,其中,该脱模装置为一 滚筒式脱模装置。 15.如申请专利范围第14项所述之场发射显示器之 电子发射源表面活化的方法,其中,该滚筒式脱膜 装置具有两滚筒,前述其一滚筒内具有加热单元, 在滚压阴极结构之披覆层时,该滚筒先对披覆层进 行加热软化。 16.如申请专利范围第1项所述之场发射显示器之电 子发射源表面活化的方法,其中,为配合剥膜制程 需使贴覆之披覆层形成之特定厚度,可以为0.1~0.5mm 以利于脱膜。 17.如申请专利范围第1项所述之场发射显示器之电 子发射源表面活化的方法,其中,在于涂覆后之阴 极结构以60~80℃焙烤10~20分钟,俾使披覆层固化铸 形。 图式简单说明: 第一图,系本发明之阴极结构示意图。 第二图,系本发明之阴极结构喷涂溶液制作流程示 意图。 第三图,系本发明之阴极结构喷涂溶液制作流程完 成示意图。 第四图,系本发明之阴极结构表面披覆层进行剥除 处理示意图。 |
