| 主权项 |
1.一种用来于一影像中内插一像素之方法,该影像 具有复数个以矩阵格式排列之像素,该方法包含有 : (a)依据该影像之一区块之离散余弦转换(Discrete Cosine Transform, DCT)资料,侦测该区块中是否存在一 边缘,该待内插像素系位于该区块中; (b)若一边缘被侦测到,则依据该等离散余弦转换资 料决定该待内插像素之内插方向,且依据该内插方 向内插该待内插像素;以及 (c)若无边缘被侦测到,则垂直地或水平地内插该待 内插像素。 2.如申请专利范围第1项之方法,其中该等该等离散 余弦转换资料包含有离散余弦转换系数,步骤(a)利 用该等离散余弦转换系数来侦测该边缘,且步骤(b) 利用该等离散余弦转换系数来决定该内插方向。 3.如申请专利范围第2项之方法,其中该等该等离散 余弦转换系数具有复数个低频离散余弦转换系数, 步骤(a)利用该等低频离散余弦转换系数来侦测该 边缘,且步骤(b)利用该等低频离散余弦转换系数来 决定该内插方向。 4.如申请专利范围第3项之方法,其中步骤(b)另包含 有: 依据一对应该等低频离散余弦转换系数之对照表 决定该内插方向。 5.如申请专利范围第3项之方法,其中步骤(a)另包含 有: 比较该等低频离散余弦转换系数与一门槛値以侦 测该边缘。 6.如申请专利范围第3项之方法,其中步骤(b)另包含 有: 依据该等低频离散余弦转换系数之绝对値之间之 一差値且依据该等低频离散余弦转换系数之正负 号,决定该内插方向。 7.如申请专利范围第2项之方法,其中该等该等离散 余弦转换系数具有复数个高频离散余弦转换系数, 且该方法另包含有: (d)依据该等高频离散余弦转换系数,侦测该区块中 是否存在具有不同方向之复数个边缘。 8.如申请专利范围第7项之方法,其中步骤(d)另包含 有: 比较该等高频离散余弦转换系数与一门槛値以侦 测该等具有不同方向之边缘。 9.如申请专利范围第7项之方法,其中步骤(d)另包含 有: 比较该等高频离散余弦转换系数之一平均値与一 门槛値以侦测该等具有不同方向之边缘。 10.如申请专利范围第7项之方法,其中步骤(d)依据 一对应该等离散余弦转换系数之对照表侦测该等 具有不同方向之边缘。 11.如申请专利范围第10项之方法,其中步骤(b)另包 含有: 依据该对照表决定该内插方向。 12.如申请专利范围第7项之方法,其中步骤(c)另包 含有: 若无边缘被侦测到或具有不同方向之边缘被侦测 到,则垂直地或水平地内插该待内插像素。 13.如申请专利范围第1项之方法,其另包含有: (d)依据该影像之原始(raw)资料或编码资料产生该 等离散余弦转换资料。 14.一种用来于一影像中内插一像素之装置,该影像 具有复数个以矩阵格式排列之像素,该装置包含有 : 一侦测单元,用来依据该影像之一区块之离散余弦 转换(Discrete Cosine Transform, DCT)资料侦测该区块中 之一边缘,该待内插像素系位于该区块中; 一处理单元,耦接至该侦测单元,用来依据该等离 散余弦转换资料与该侦测单元所产生之侦测结果 决定该待内插像素之内插方向;以及 一内插单元,耦接至该侦测单元与该处理单元,用 来内插该待内插像素; 其中若一边缘被侦测到,则该内插单元依据该内插 方向内插该待内插像素,若无边缘被侦测到,则该 内插单元垂直地或水平地内插该待内插像素。 15.如申请专利范围第14项之装置,其中该处理单元 可依据该等离散余弦转换资料侦测该区块中具有 不同方向之复数个边缘。 16.如申请专利范围第15项之装置,其中若无边缘被 侦测到或具有不同方向之边缘被侦测到,则该内插 单元垂直地或水平地内插该待内插像素。 17.如申请专利范围第14项之装置,其中该处理单元 具有一对应该等离散余弦转换资料之对照表,且该 处理单元可依据该对照表决定该内插方向。 18.如申请专利范围第14项之装置,其中该处理单元 具有一对应该等离散余弦转换资料之对照表,且该 处理单元可依据该对照表侦测该区块中具有不同 方向之复数个边缘。 19.如申请专利范围第14项之装置,其中该处理单元 具有一特定运算单元(specific arithmetic unit),用来依 据该等离散余弦转换资料产生一计算结果,且该处 理单元可依据该计算结果决定该内插方向。 20.如申请专利范围第14项之装置,其另包含有一视 讯解码器或视讯编码器,耦接至该侦测单元,用来 产生该等离散余弦转换资料。 图式简单说明: 第1图为习知方向性内插方法所内插的影像的一部 分的象徵性示意图。 第2图为习知不同的方向性内插方法所内插的影像 的一部分的象徵性示意图。 第3图为依据本发明的一实施例之像素内插的方法 的流程图。 第4图为依据本发明的视讯处理装置的方块示意图 。 第5图为第4图所示视讯解码器的方块示意图。 第6图为关于第3图所示方法的离散余弦转换系数 的象徵性示意图。 第7图为第3图所示方法中所使用的对照表。 第8图为对应于第7图所示边缘方向索引的边缘方 向的示意图。 第9图为第6图所示离散余弦转换系数的高频部分 的象徵性示意图。 第10图为依据本发明的另一实施例之像素内插的 方法的流程图。 |
