| 主权项 |
1.一种球闸阵列(ball grid array, BGA)封装基板,包括: 一第一外层(external layer),系包括一打线结合垫(wire bonding pad); 一第二外层,系包括一锡球垫(solder ball pad); 一第一内层(internal layer),系紧邻该第一外层; 一第二内层,系紧邻该第二外层; 一第一绝缘层(insulating layer),系置于该第一外层与 该第一内层之间; 一第二绝缘层,系置于该第二外层与该第二内层之 间; 一第三绝缘层,系置于该第一内层与该第二内层之 间; 一第一盲导孔(blind via hole)系透过该第一绝缘层而 形成,且在其下方侧系开口并透过该第一内层之一 第一内璧而与该第一内层相连接,以及该第一盲导 孔在其上方侧包括有一连接至该第一外层之打线 结合垫的一第一封闭部,该第一内壁镀有导电性物 质; 一第二盲导孔系透过该第二绝缘层而形成,在其上 方侧系开口并透过该第二内层之一第二内壁而而 与该第二内层相连接,以及该第二盲导孔在其下方 侧具有一连接至该锡球垫之一第二封闭部,该第二 内壁镀有导电性物质; 一上方阻焊剂(solder resist),系形成于该第一外层与 该第一绝缘层之上,且一第一开口系透过该上方阻 焊剂而形成,俾能对应该第一外层之打线结合垫; 以及 一下方阻焊剂,系形成于该第二外层与该第二绝缘 层之上,且一第二开口系透过该下方阻焊剂而形成 ,俾能对应该第二外层之锡球垫。 2.如申请专利范围第1项所述之BGA封装基板,其中该 打线结合垫系形成于该第一盲导孔之第一封闭部 。 3.如申请专利范围第1项所述之BGA封装基板,其中该 锡球垫系形成于该第二盲导孔之第二封闭部。 4.如申请专利范围第1项所述之BGA封装基板,其中该 打线结合垫系形成于该第一盲导孔之第一封闭部, 且该锡球垫系形成于该第二盲导孔之第二封闭部 。 5.如申请专利范围第1项所述之BGA封装基板,其中该 第三绝缘层包括至少一具有预设电路图形之电路 层。 6.一种制造球闸阵列(ball grid array, BGA)封装基板之 方法,包括下述步骤: (A)使用一雷射穿透一铜箔层基板形成一第一盲导 孔,该第一盲导孔系在其一侧开口,并在其一相对 侧具有一封闭部; (B)形成复数第一铜电镀层(copper plating layer)于复数 铜箔层以及该铜箔层基板之第一盲导孔的内壁,并 形成一预设电路图形于一铜箔层以及一第一铜电 镀层之上,其系紧邻该第一盲导孔之一开口部; (C)重复步骤(A)至(B)以准备其他铜箔层基板,其系具 有一第二盲导孔与在其一侧形成之一预设电路图 形; (D)使二铜箔层基板于一绝缘层之两侧堆积成层( layering),俾供该第一与第二盲导孔之开口部面对该 绝缘层,以及压挤该二铜箔层基板与该绝缘层,以 达成层状物; (E)透过该等铜箔层与构成复数外层之第一铜电镀 层形成一该二铜箔层基板之通孔(through hole); (F)形成第二铜电镀层于该第一铜电镀层与该通孔 之一内壁,并形成复数包括一打线结合垫与一锡球 垫连接至该第一或该第二盲导孔封闭部之外层电 路图形于该等铜箔层、该等第一铜电镀层、以及 该等第二铜电镀层;以及 (G)使阻焊剂于该等外层电路图形堆积成层,并透过 该等阻焊剂形成对应该打线结合垫与该锡球垫之 开口。 7.如申请专利范围第6项所述之方法,其中该二铜箔 层基板与该绝缘层系在一真空室中被加压且形成 薄板,俾供于该步骤(C)中由该第一与第二盲导孔排 出空气。 8.如申请专利范围第6项所述之方法,其中于该步骤 (F)中,该打线结合垫系形成于该第一盲导孔之封闭 部。 9.如申请专利范围第6项所述之方法,其中于该步骤 (F)中,该锡球垫系形成于该第二盲导孔之封闭部。 图式简单说明: 图1a至图1g系习知BGA封装基板制造的剖视图。 图2系一半导体元件装配于习知BGA封装基板之剖视 图。 图3系习知BGA封装基板下方之示意图。 图4系本发明之第一实施例之BGA封装基板之剖视图 。 图5系本发明之第一实施例之BGA封装基板装配一半 导体元件之剖视图。 图6a至图61系本发明之第一实施例之BGA封装基板制 造之剖视图。 图7a与图7b系本发明之第二实施例之BGA封装基板制 造之剖视图。 |
