| 主权项 |
1.一种基板处理方法,包含: 将流体从复数个入口其中一部分处施加至该基板 的一表面上;以及 从该基板之该表面处移除至少该流体,该移除动作 系在将该流体施加至该表面时即加以处理; 其中该流体施加步骤与该流体移除步骤会在该基 板之该表面上形成一流体新月的一片断。 2.如申请专利范围第1项的基板处理方法,更包含: 利用该流体新月之该片断来处理该基板的该表面 。 3.如申请专利范围第2项的基板处理方法,其中,利 用该流体新月之该片断来处理该基板的该表面之 该步骤包含一蚀刻操作、一清洁操作、一冲洗操 作、一电镀操作、一乾燥操作或一平版印刷操作 其中一者。 4.如申请专利范围第1项的基板处理方法,更包含: 产生该流体新月的额外片断。 5.如申请专利范围第4项的基板处理方法,其中,产 生该流体新月的额外片断之该步骤包含, 将一额外流体从复数个入口之不同部分处施加至 该基板的一表面上;以及 从该基板之该表面处移除至少该额外流体,该移除 动作系在将该额外流体施加至该表面时即加以处 理。 6.如申请专利范围第1项的基板处理方法,其中该流 体属于一平版印刷流体、一蚀刻流体、一电镀流 体、一清洁流体、一乾燥流体或一冲洗流体其中 一者。 7.如申请专利范围第1项的基板处理方法,更包含: 将一表面张力降低流体施加至该基板的该表面。 8.如申请专利范围第7项的基板处理方法,其中,该 表面张力降低流体是在氮气内的异丙醇蒸气。 9.如申请专利范围第1项的基板处理方法,其中,将 该流体从至少一入口处施加至该基板的表面上之 该步骤系由一流体流控制装置所加以管理。 10.如申请专利范围第9项的基板处理方法,其中,该 流体流控制装置系用以处在一开启位置或一关闭 位置其中一者,该开启位置允许流体流入至少一相 对应入口,而该关闭位置停止流体流入该至少一相 对应入口。 11.如申请专利范围第1项的基板处理方法,其中,从 该基板之该表面处移除至少该流体之该步骤是从 复数个出口其中一部分进行的,其中从该复数个出 口其中各一者将该流体移除之该步骤系由一流体 流控制装置所加以管理。 12.如申请专利范围第11项的基板处理方法,其中,该 流体流控制装置系用以处在一开启位置或一关闭 位置其中一者,该开启位置允许流体流出至少一相 对应出口,而该关闭位置停止流体流出该至少一相 对应出口。 13.如申请专利范围第1项的基板处理方法,其中,该 复数个入口其中该部分属于一入口群组,该入口群 组包含至少用以施加流体的一入口与至少用以施 加一表面张力改变流体的一入口,流经该复数个入 口其中该部分的流体系由一流体流控制装置所加 以管理。 14.如申请专利范围第1项的基板处理方法,其中,从 该基板之该表面处移除至少该流体之该步骤是从 一出口群组进行的,流经该出口群组的一流动系由 一流体流控制装置所加以管理。 15.一种基板处理设备,包含: 一近接头,具有复数个管道; 一流体输入,其系连接至该近接头且用以将流体供 应至复数个管道其中一相对应者,该复数个管道其 中该相对应者系用以使用该流体,以便在该基板之 一表面上产生一流体新月的一片断;以及 一流体流控制装置,用以管理穿过该流体输入之流 体流。 16.如申请专利范围第15项的基板处理设备,其中,该 复数个管道包含: 用以将该流体施加至该基板之该表面的至少一入 口;以及 用以将至少该流体从该基板之该表面处移除的至 少一出口。 17.如申请专利范围第16项的基板处理设备,其中,该 复数个管道更包含: 用以将一第三流体施加至该基板之该表面的至少 一入口。 18.如申请专利范围第15项的基板处理设备,其中,该 流体新月之该片断是能够执行一蚀刻操作、一清 洁操作、一冲洗操作、一电镀操作、一乾燥操作 或一平版印刷操作其中一者。 19.如申请专利范围第17项的基板处理设备,其中,该 第三流体会改变该第二流体的表面张力。 20.如申请专利范围第15项的基板处理设备,其中,该 流体流控制装置是一阀门、一流约束器或一栓塞 其中一者。 21.如申请专利范围第20项的基板处理设备,其中,该 阀门有助于至少一流体的一流动穿过该流体输入 。 22.如申请专利范围第15项的基板处理设备,更包含: 一流体输出,用以将流体从至少一出口其中一相对 应者移除,至少一出口其中该相对应者系用以将该 流体从该基板之该表面上的该流体新月之该片断 处移除;以及 一流体流控制装置,用以管理穿过该流体输出之流 体流。 23.如申请专利范围第22项的基板处理设备,其中,用 以管理穿过该流体输出之流体流的该流体流控制 装置是一阀门、一流约束器或一栓塞其中一者。 24.如申请专利范围第23项的基板处理设备,其中,该 阀门有助于至少一流体的一流动穿过该流体输出 。 25.一种基板处理系统,包含: 一近接头,用以产生一流体新月其中至少一片断; 一流体输入,连接至该近接头,该流体输入系用以 将流体供应至该近接头;以及 一流体供应器,连接至该流体输入,该流体供应器 系用以将流体供应至该流体输入。 26.如申请专利范围第25项的基板处理系统,其中,该 流体输入包含有用以管理传送至该近接头之流体 的一流体流控制装置。 27.如申请专利范围第25项的基板处理系统,其中,该 流体供应器包含有用以管理传送至该近接头之流 体的一流体流控制装置。 28.如申请专利范围第25项的基板处理系统,更包含: 连接至该近接头的一流体输出,该流体输出系用以 将流体从该近接头处移除;以及 连接至该流体输出的一流体供应器,该流体供应器 系用以将流体从该流体输出处移除。 29.如申请专利范围第28项的基板处理系统,其中,该 流体输出包含有用以管理传送自该近接头之流体 的一流体流控制装置。 30.如申请专利范围第28项的基板处理系统,其中,该 流体供应器包含有用以管理传送自该近接头之流 体的一流体流控制装置。 图式简单说明: 图1A说明在一SRD乾燥制程期间,位在一晶圆上的清 洁流体之移动。 图1B说明一示范性晶圆乾燥制程。 图2显示本发明一实施例的晶圆处理系统。 图3说明本发明一实施例中,实施一晶圆处理操作 的一近接头。 图4A说明本发明一实施例,可利用实施一近接头来 执行的一晶圆处理操作。 图4B说明本发明一实施例中,用在双晶圆处理系统 中的示范性近接头之侧视图。 图5A显示本发明一实施例的一多新月近接头。 图5B显示本发明一实施例的多新月近接头之横剖 面图。 图6A说明本发明一实施例的一多新月近接头。 图6B说明本发明一实施例的近接头之处理表面。 图6C显示本发明一实施例,多新月近接头的处理表 面之近视图。 图6D显示本发明一实施例,附着至主体以便形成多 新月近接头的辅助板。 图6E说明本发明一实施例的近接头之横剖面图。 图7说明本发明一实施例,在一示范性晶圆处理操 作中的多新月近接头之横剖面图。 图8说明本发明一实施例,包含有矩形新月的一多 新月近接头。 图9显示本发明一实施例,具有矩形流体新月的一 多新月近接头。 图10A说明本发明一实施例,具有流体输入的一近接 头之侧视图。 图10B说明本发明一实施例,近接头的一处理区域之 前视图。 图10C说明本发明一实施例,显示出具有在操作期间 由近接头所形成之新月片断形成的管道之区域的 近接头。 图10D显示本发明一实施例的一晶圆处理系统之放 大图。 图11A显示本发明一实施例,欲从复数个流体输入来 供应有流体的一近接头。 图11B显示本发明一实施例,由图11A之近接头而已形 成在晶圆上的一流体新月。 图11C显示本发明一实施例,在操作中时,有复数个 可变流流体输入其中一部分为开启状态的近接头 。 图11D说明本发明一实施例,其由具有如图11C所示之 可变流流体输入构造之近接头所形成的新月。 图11E说明本发明一实施例,在操作中时如图11D所示 的近接头,其中区域显示具有各自流体流控制装置 为关闭状态的流体输入,而区域则显示具有各自流 体流控制装置为开启状态的流体输入。 图11F显示本发明一实施例,说明在操作中时另一示 范性新月之产生的近接头。 图11G说明本发明一实施例,未形成新月的近接头。 图11H说明本发明一实施例,已经形成在晶圆上的一 流体新月。 图12A显示本发明一实施例,产生多类型新月的一近 接头。 图12B显示本发明一实施例的一近接头,其中多个流 体流控制装置404'容许第二流体流动,而非第一流 体。 图13A显示本发明一实施例的一多新月近接头之顶 视图。 图13B显示本发明一实施例,正在处理晶圆之一顶表 面与一底表面的双近接头之侧视图。 图13C显示本发明一实施例,如图13A所示之近接头一 宽度之侧视图观察点。 图14A显示本发明一实施例,能够产生一实质上圆形 流体新月的一近接头。 图14B显示本发明一实施例,沿着在晶圆底面上之近 接头的圆形区域一半径所示之侧视立体图。 图14C说明本发明一实施例,如图14B所示,位在要处 理晶圆一顶表面的一类似结构。 图15说明本发明一实施例的同心流体新月之管理 。 |
