使用F2植入之窄宽PMOS中负偏压温度不安定性之降低REDUCTION OF NEGATIVE BIAS TEMPERATURE INSTABILITY IN NARROW WIDTH PMOS USING F2 IMPLANTATION,申请号TW092100820-传众专利搜索

发明名称	使用F2植入之窄宽PMOS中负偏压温度不安定性之降低REDUCTION OF NEGATIVE BIAS TEMPERATURE INSTABILITY IN NARROW WIDTH PMOS USING F2 IMPLANTATION
摘要	一种用于制造窄通道宽度PMOSFET元件之方法，降低负偏压温度不安定性之改善，系藉由使用F2侧壁植入，该方法包含： a)形成一浅沟渠隔离(STI)区于一基质中；b)形成一闸极于该基质中之一闸极氧化物上；C)形成一衬垫层于该浅沟渠隔离区中，且将该衬垫层氧化，以形成一STI衬垫氧化物层；d)以一大倾斜角度植入足量的F2于该STI衬垫氧化层之侧壁中，在该STIF2植入之衬垫氧化层之一高密度电浆填充后，降低负偏压温度不安定性；以及f)自步骤C)以一高密度电浆(HDP)填充，填充该STIF2植入之结构，以降低负偏压温度不安定性。
申请公布号	TWI279000	申请公布日期	2007.04.11
申请号	TW092100820	申请日期	2003.01.15
申请人	英飞凌科技股份有限公司	发明人	林权
分类号	H01L29/78(2006.01);H01L21/265(2006.01)	主分类号	H01L29/78(2006.01)
代理机构		代理人	蔡清福台北市中山区中山北路3段27号13楼
主权项	1.一种用于制造窄通道宽度PMOSFET元件之方法,降低负偏压温度不安定性之改善,系藉由使用F2侧壁植入,该方法包含: a)形成一浅沟渠隔离(STI)区于一基质中; b)形成一闸极于该基质中之一闸极氧化物上; c)形成一衬垫层于该浅沟渠隔离区中,且将该衬垫层氧化,以形成一STI衬垫氧化物层; d)以一大倾斜角度植入足量的F2于该STI衬垫氧化层之侧壁中,在该STI F2植入之衬垫氧化层之一高密度电浆填充后,降低负偏压温度不安定性;以及 e)自步骤d)以一高密度电浆(HDP)填充,填充该STI F2植入之结构,以降低负偏压温度不安定性。 2.如申请范围第1项之方法,其中该基质系矽。 3.如申请范围第2项之方法,其中该衬垫氧化层系SiO 2。 4.如申请范围第2项之方法,其中该衬垫氧化层系 SiON。 5.如申请范围第3项之方法,其中该高密度电浆(HDP) 填充系一HDP氧化物填充。 6.如申请范围第4项之方法,其中该高密度电浆(HDP) 填充系一HDP氧化物填充。图式简单说明: 第一图系说明窄宽度PMOSFET元件。
地址	德国