| 主权项 |
1.一种固体摄像装置,其特征在于具备:复数像素, 其包含互相邻接之第1像素及第2像素,该像素分别 设有:光电二极体,其系形成于基板上,将光转换成 信号电荷蓄积者;转送用电晶体,其系具有闸极电 极,读取蓄积于上述光电二极体之上述信号电荷者 ;及浮动扩散,其系设于上述基板之中,上述转送用 电晶体之闸极电极之侧方区域,将经由上述转送用 电晶体读取之上述信号电荷转换为电位者,且 上述第1像素,具有闸极电极,一端连接上述第1像素 内及上述第2像素内之两上述光电二极体,于另一 端设有供给电源电压之重置电晶体, 上述第2像素,具有连接于上述第1像素内及上述第2 像素内之两上述转送用电晶体之闸电极,另外设有 放大上述浮动扩散所转换之电位之放大用电晶体 。 2.如请求项1之固体摄像装置,其中于上述第1像素 并未设置上述放大用电晶体,于上述第2像素并未 设上述重置电晶体。 3.如请求项1之固体摄像装置,其中上述复数之像素 ,藉由配置为1维状或2维状使设于上述复数像素之 各个上述光电二极体于同一方向之重心互相的距 离呈一定。 4.如请求项1之固体摄像装置,其中上述第1像素与 上述第2像素形状及尺寸互相相等, 将上述重置电晶体之闸极电极与上述放大电晶体 之闸极电极,配置于上述第1像素内或上述第2像素 内之同一位置。 5.如请求项1之固体摄像装置,其中另外具备: 第1接触,其系连接上述重置电晶体者:及 第2接触,其系连接上述放大用电晶体者,且 上述第1接触于上述第1像素内之位置,与上述第2接 触于上述第2像素内之位置相同。 6.如请求项1之固体摄像装置,其中另外具备: 第1接触,其系包含金属,连接于上述重置电晶体;及 第2接触,其系包含金属,连接于上述放大用电晶体 。 7.如请求项4之固体摄像装置,其中另外具有: 层间绝缘膜,其系设于上述像素上;及 微透镜,其系设于上述层间绝缘膜之中位于上述光 电二极体正上之部分上。 图式简单说明: 图1系表示关于本发明之第1实施形态之固体摄像 装置之像素胞部之图案布局之图。 图2系表示第1实施形态之固体摄像装置之一例之 电路图。 图3系表示于关于第1实施形态之固体摄像装置之 像素内图案布局叠上向金属配线之传达接触图案 之布局图。 图4系于关于第1实施形态之固体摄像装置,表示4列 4行之像素之布局之图。 图5系表示关于本发明之第2实施形态之固体摄像 装置之像素胞部之图案布局之图。 图6系表示以复数像素共有放大手段(放大部)之4Tr 型CMOS感测器之像素布局之图。 图7(a)系表示先前之CMOS感测器之电路构成及剖面 之图;(b)系将(a)所示剖面以电路表示之图;(c)系关 于电转换部因光子之入射而产生之蓄积中之电荷 状态之图(d)系表示元件内蓄积后之电荷之状态之 图。 图8系表示先前之4Tr型CMOS感测器之像素构成之电 路图。 图9系表示图8所示先前之4TrCMOS感测器之像素部分 之平面布局之图。 图10系表示先前之3Tr型CMOS感测器之像素构成之电 路构成图。 图11系表示图10所示先前之3TrCMOS感测器之像素部 分之平面布局之图。 图12系表示以2个像素共有1个放大手段之先前之像 素电路构成之例之图。 图13系先前之3Tr型CMOS之像素电路构成之图。 |
