| 主权项 |
1.一种试片解析方法,包括下列步骤: 利用椭圆仪,对在基板上形成根据电气测定的介电 率在50以上之介电质膜的试片,射入偏光状态光的 步骤; 对上述试片测定入射光与反射光之偏光状态变化 値的步骤; 设定配合上述试片的条件,根据近似有效媒介制成 存在空隙为60%以上且90%以下范围之模型的步骤; 根据所制成的模型,计算出上述利用椭圆仪所测得 偏光状态变化値之对应値的步骤; 将所计算之对应値、与上述利用椭圆仪所测得变 化値进行比较的步骤; 利用依使所比较二数値差异变小之方式的上述近 似有效媒介相关之运算式、及上述模型相关之分 散式进行运算的步骤;以及 根据上述运算结果执行试片解析的步骤。 2.一种试片解析方法,包括下列步骤: 利用椭圆仪,对在基板上形成根据电气测定的介电 率在50以上之介电质膜的试片,射入偏光状态光的 步骤; 对上述试片测定入射光与反射光之偏光状态变化 値的步骤; 设定配合上述试片的条件,制作复数个根据近似有 效媒介制成存在空隙为60%以上且90%以下范围,且上 述空隙比率互异之模型的步骤; 根据所制成复数模型,依每个模型计算出由上述椭 圆仪所测得偏光状态变化値之对应数値的步骤; 分别将依每个模型所计算的数値、与上述椭圆仪 所测得变化値进行比较的步骤; 利用比较从上述复数模型中,将所计算的数値、与 由上述椭圆仪所测得变化値间之差値较小的模型, 予以特定的步骤; 对所特定模型,利用上述近似有效媒介相关之运算 式、与上述模型相关之分散式施行运算,使计算値 与由上述椭圆仪所测得变化値间之差値变小的步 骤;以及 根据上述运算结果施行试片解析的步骤。 3.一种试片解析方法,包括下列步骤: 利用椭圆仪,对在基板上形成根据电气测定的介电 率在50以上之介电质膜的试片,射入偏光状态光的 步骤; 对上述试片测定入射光与反射光之偏光状态变化 値的步骤; 设定配合上述试片的条件,制作复数个根据近似有 效媒介制成存在空隙为60%以上且90%以下范围,且上 述空隙比率互异之模型的步骤; 根据所制成复数模型,依每个模型计算出由上述椭 圆仪所测得偏光状态变化値之对应数値的步骤; 分别将依每个模型所计算的数値、与上述椭圆仪 所测得变化値进行比较的步骤; 利用比较从上述复数模型中,将所计算的数値、与 由上述椭圆仪所测得变化値间之差値较小的模型, 予以特定的步骤; 根据所特定模型设定复数种膜厚,而制成复数模型 的步骤; 根据所制成复数模型,依每个模型计算出由上述椭 圆仪所测得偏光状态变化値之对应数値的步骤; 分别将依每个模型所计算得数値、与上述椭圆仪 所测得变化値进行比较的步骤; 利用比较从上述复数模型中,将计算値、与由上述 椭圆仪所测得变化値间之差値较小的模型,予以特 定的步骤; 对所特定模型,利用上述近似有效媒介相关之运算 式、与上述模型相关之分散式施行运算,使计算値 与由上述椭圆仪所测得变化値间之差値变小的步 骤;以及 根据上述运算结果施行试片解析的步骤。 4.如申请专利范围第1至3项中任一项之试片解析方 法,其中,试片系在基板上复数形成根据电气测定 的介电率在50以上的介电质膜;上述测定偏光状态 的变化値的步骤系依复数每个介电质膜分别测定 变化値;上述制成模型的步骤系在复数每个介电质 膜中,所存在的根据近似有效媒介之空隙系60%以上 且90%以下的范围。 5.如申请专利范围第1至3项中任一项之试片解析方 法,其中,上述分散式系含有光学测定范围的介电 率参数,并根据该介电率参数的数値,对试片的介 电质膜光学测定范围介电率施行解析。 6.如申请专利范围第1至3项中任一项之试片解析方 法,其中,上述分散式系: 其中,:复介电率,∞:高频介电率,s:静态介电 率; o、D、j:相对于黏性力的比例系数(damping factor); oj、t、p:固有角振动数(oscillator frequency, transverse frequency, plasma frequency);:角振动数。 7.如申请专利范围第6项之试片解析方法,其中,上 述执行运算的步骤系使s(static dielectric constant) 、t(transverse frequency)及o(damping factor)之値准行 变化,而减小二値间的差其。 8.如申请专利范围第1~3项中任一项之试片解析方 法,其中,上述分散式系: 其中,fa+fb=1 :介电质膜的有效复介电率、a:介电质膜中的 介电质介电率; b:介电质膜中的空隙介电率,fa:介电质混合比,fb: 空隙混合比。 图式简单说明: 第1图系本发明试片解析方法中所使用的椭圆仪及 电脑的构造概略图。 第2A图系试片的剖视图。 第2B图系根据近似有效媒介具有空隙之模型构造 的概略图。 第3图系分光器的内部构造概略图。 第4图系膜厚、空隙率等的设定选单概略图。 第5图系本发明试片解析方法的处理流程图。 第6A图系从最初制成的模型所计算出的计算値、 及利用椭圆仪所获得测定値的图形。 第6B图系经拟合后的计算値与测定値图。 第7图系拟合相关结果图。 第8图系折射率与衰减系数图。 第9图系对氧化矽的椭圆仪测定结果图。 第10A图系试片构造概略图。 第10B图系膜表面具有粗糙的试片概略图。 第10C图系根据近似有效媒介具有空隙之模型构造 的概略图。 |
