| 主权项 |
1.一种减少维修的基板处理系统,用来处理一基板, 包含: 一化学处理系统,用来化学方式改变位在该基板上 的曝露之表层,其包含一受温控之化学处理室,该 受温控之化学处理室于其一内表面的至少一部份 上形成一保护屏障层; 一热处理系统,用来热处理位在该基板上的化学方 式改变过之表层,其包含一受温控之热处理室,该 受温控之热处理室于其一内表面的至少一部份上 形成一保护屏障层;及 一热绝缘组件,连接至该热处理系统与该化学处理 系统。 2.如申请专利范围第1项之减少维修的基板处理系 统,其中,该热绝缘组件包含有在至少一曝露之表 层上的一保护屏障层。 3.如申请专利范围第1项之减少维修的基板处理系 统,其中, 该化学处理系统更包含:一受温控之基板支座,安 装于该化学处理室内,且于其一曝露表面的至少一 部份上形成一保护屏障层;一真空帮浦系统,连接 至该化学处理室;及一气体分配板,包含有复数个 气体注入孔,且于该气体分配板之一曝露表面之至 少一部份上与各孔洞之一曝露表面之至少一部份 上形成有一保护屏障层;其中,该气体分配板系连 接至用来将一处理气体导入至该化学处理室的一 受温控之气体分配系统; 该热处理系统更包含:一受温控之基板支座,安装 于该热处理室内,且于其一曝露表面的至少一部份 上形成一保护屏障层;及一真空帮浦系统,连接至 该热处理室;且 该处理系统更包含有一控制系统,连接至该化学处 理系统与该热处理系统,用以控制以下各项中至少 一者:化学处理室温度、化学处理气体分配系统温 度、化学处理基板支座温度、化学处理基板温度 、化学处理处理压力、化学处理气体流速、热处 理室温度、热处理基板支座温度、热处理基板温 度、热处理之处理压力与热处理气体流速。 4.如申请专利范围第1项之减少维修的基板处理系 统,其中,位在该化学处理室之该内表面上的该保 护屏障层包含有浸渍过PTFE及/或TFE的一阳极处理 金属。 5.如申请专利范围第4项之减少维修的基板处理系 统,其中,位在该化学处理室之该内表面上的该保 护屏障层包含有浸渍过PTFE及/或TFE的一硬质阳极 处理金属。 6.如申请专利范围第4项之减少维修的基板处理系 统,其中,该金属包含有铝与一铝合金其中至少一 者。 7.如申请专利范围第1项之减少维修的基板处理系 统,其中,位在该化学处理室之该内表面上的该保 护屏障层包含Al2O3、Y2O3、Sc2O3、Sc2F3、YF3、La2O3、 CeO2、Eu2O3与DyO3其中至少一者。 8.如申请专利范围第1项之减少维修的基板处理系 统,其中,该化学处理系统更包含一受温控之基板 支座,于其至少一部份上形成一保护屏障层,安装 在该化学处理室内之该受温控之基板支座上的该 保护屏障层包含有利用PTFE及/或TFE浸渍过的一阳 极处理金属。 9.如申请专利范围第1项之减少维修的基板处理系 统,其中,该化学处理系统更包含一受温控之基板 支座,于其至少一部份上形成一保护屏障层,安装 在该化学处理室内之该受温控之基板支座上的该 保护屏障层包含Al2O3、Y2O3、Sc2O3、Sc2F3、YF3、La2O3 、CeO2、Eu2O3与DyO3其中至少一者。 10.如申请专利范围第1项之减少维修的基板处理系 统,其中,该化学处理系统更包含有一气体分配板, 包含有复数个气体注入孔,且于该气体分配板之一 曝露表面之至少一部份上与各孔洞之一曝露表面 之至少一部份上形成有一保护屏障层;其中,该气 体分配板系连接至用来将一处理气体导入至该化 学处理室的一受温控之气体分配系统;该气体分配 板上的该保护屏障层与各孔洞上的该保护屏障层 包含有利用PTFE及/或TFE浸渍过的一阳极处理金属 。 11.如申请专利范围第10项之减少维修的基板处理 系统,其中,在该气体分配板之该曝露表面上的该 保护屏障层与在各孔洞之该曝露表面上的该保护 屏障层包含有利用TFE及/或PTFE浸渍过的一硬质阳 极处理金属。 12.如申请专利范围第10项之减少维修的基板处理 系统,其中,该金属包含有铝与一铝合金其中至少 一者。 13.如申请专利范围第1项之减少维修的基板处理系 统,其中,该化学处理系统更包含有一气体分配板, 包含有复数个气体注入孔,且于该气体分配板之一 曝露表面之至少一部份上与各孔洞之一曝露表面 之至少一部份上形成有一保护屏障层;其中,该气 体分配板系连接至用来将一处理气体导入至该化 学处理室的一受温控之气体分配系统;在该气体分 配板之该曝露表面上的该保护屏障层与在各孔洞 之该曝露表面上的该保护屏障层包含有Al2O3、Y2O3 、Sc2O3、Sc2F3、YF3、La2O3、CeO2、Eu2O3与DyO3其中至少 一者。 14.如申请专利范围第1项之减少维修的基板处理系 统,其中,在该受温控之热处理室之该内表面上的 该保护屏障层包含有利用PTFE及/或TFE浸渍过的一 阳极处理金属。 15.如申请专利范围第14项之减少维修的基板处理 系统,其中,该受温控之热处理室之该内表面上的 该保护屏障层包含有利用TFE及/或PTFE浸渍过的一 硬质阳极处理金属。 16.如申请专利范围第14项之减少维修的基板处理 系统,其中,该金属包含有铝与一铝合金其中至少 一者。 17.如申请专利范围第1项之减少维修的基板处理系 统,其中,位在该受温控之热处理室之该内表面上 的该保护屏障层包含有Al2O3、Y2O3、Sc2O3、Sc2F3、YF3 、La2O3、CeO2、Eu2O3与DyO3其中至少一者。 18.如申请专利范围第1项之减少维修的基板处理系 统,其中,该热处理系统更包含:一受温控之基板支 座,安装于该热处理室内,且于其一曝露表面的至 少一部份上形成一保护屏障层;安装在该受温控之 热处理室内之该受温控之基板支座的该曝露表面 上的该保护屏障层包含有利用PTFE及/或TFE浸渍过 的一阳极处理金属。 19.如申请专利范围第1项之减少维修的基板处理系 统,其中,该热处理系统更包含:一受温控之基板支 座,安装于该热处理室内,且于其一曝露表面的至 少一部份上形成一保护屏障层;安装在该受温控之 热处理室内之该受温控之基板支座的该曝露表面 上的该保护屏障层包含Al2O3、Y2O3、Sc2O3、Sc2F3、YF3 、La2O3、CeO2、Eu2O3与DyO3其中至少一者。 20.如申请专利范围第1项之减少维修的基板处理系 统,其中,该热绝缘组件包含有一闸阀组件,其中在 该闸阀组件之一曝露表面的至少一部份上形成一 保护屏障层。 21.如申请专利范围第20项之减少维修的基板处理 系统,其中,位在该闸阀组件之该曝露表面上的该 保护屏障层包含有利用PTFE及/或TFE浸渍过的一阳 极处理金属。 22.如申请专利范围第20项之减少维修的基板处理 系统,其中,位在该闸阀组件之该曝露表面上的该 保护屏障层包含有Al2O3、Y2O3、Sc2O3、Sc2F3、YF3、La2 O3、CeO2、Eu2O3与DyO3其中至少一者。 23.如申请专利范围第10项之减少维修的基板处理 系统,其中,该处理气体包含有一第一气体与一第 二气体。 24.如申请专利范围第23项之减少维修的基板处理 系统,其中,该第一气体包含有氨气、氢氟酸、氢 气、氧气、一氧化碳、二氧化碳、氩气、氦气与 氮气至少其中一者。 25.如申请专利范围第23项之减少维修的基板处理 系统,其中,该第二气体包含有氨气、氢氟酸、氢 气、氧气、一氧化碳、二氧化碳、氩气、氦气与 氮气至少其中一者。 26.如申请专利范围第23项之减少维修的基板处理 系统,其中,该复数个孔洞包含有用来将该第一气 体连接至该处理空间的一第一孔洞阵列,与用来将 该第二气体连接至该处理空间的一第二孔洞阵列 。 27.如申请专利范围第1项之减少维修的基板处理系 统,其中,该热处理系统更包含有一基板升降组件, 连接至该热处理室,用来在一传送面与该基板支座 间垂直移动该基板。 28.如申请专利范围第27项之减少维修的基板处理 系统,其中,该基板升降组件包含:一叶片,具有用来 接收该基板之三个以上之凸耳,且具有于其一曝露 表面之一部份上所形成之一保护屏障层;与一驱动 系统,用来在该基板与一传送面之间垂直传送该基 板。 29.如申请专利范围第28项之减少维修的基板处理 系统,其中,位在该叶片之至少一曝露表面上的该 保护屏障层包含有利用PTFE及/或TFE浸渍过的一阳 极处理金属。 30.如申请专利范围第28项之减少维修的基板处理 系统,其中,位在该叶片之至少一曝露表面上的该 保护屏障层包含有Al2O3、Y2O3、Sc2O3、Sc2F3、YF3、La2 O3、CeO2、Eu2O3与DyO3其中至少一者。 31.一种化学处理系统,用来以化学方式改变位在一 基板上之曝露表面层,包含: 一受温控之化学处理室,具有形成于其一内表面的 至少一部份上的一保护屏障层; 一受温控之基板支座,安装于该化学处理室内; 一真空帮浦系统,连接至该化学处理室;以及, 一气体分配板,包含复数个气体注入孔,该气体分 配板系连接至用来将一处理气体导入至该化学处 理室的一受温控之气体分配系统。 32.如申请专利范围第31项的化学处理系统,其中,位 在该化学处理室之该内表面上的该保护屏障层包 含有利用PTFE及/或TFE浸渍过的一阳极处理金属。 33.如申请专利范围第32项的化学处理系统,其中,位 在该化学处理室之该内表面上的该保护屏障层包 含有利用TFE及/或PTFE浸渍过的一硬质阳极处理金 属。 34.如申请专利范围第32项的化学处理系统,其中,该 金属包含有铝与一铝合金其中至少一者。 35.如申请专利范围第31项的化学处理系统,其中,位 在该化学处理室之该内表面上的该保护屏障层包 含有Al2O3、Y2O3、Sc2O3、Sc2F3、YF3、La2O3、CeO2、Eu2O3 与DyO3其中至少一者。 36.如申请专利范围第31项的化学处理系统,其中,该 基板支座具有形成于其一曝露表面之至少一部份 上的一保护屏障层。 37.如申请专利范围第31项的化学处理系统,其中,在 该气体分配板之一曝露表面之至少一部份上与各 孔洞之一曝露表面之至少一部份上形成有一保护 屏障层。 38.一种热处理系统,用来热处理与在一基板上之经 化学方式改变的表层,包含: 一受温控之热处理室,具有于其一内表面的至少一 部份上所形成的一保护屏障层; 一受温控之基板支座,其系安装在该热处理室内; 一真空帮浦系统,连接至该热处理室;以及, 一受温控之上组件,连接至该热处理室。 39.如申请专利范围第38项的热处理系统,其中,位在 该热处理室之该内表面上的该保护屏障层包含有 利用PTFE及/或TFE浸渍过的一阳极处理金属。 40.如申请专利范围第39项的热处理系统,其中,位在 该热处理室之该内表面上的该保护屏障层包含有 利用TFE及/或PTFE浸渍过的一硬质阳极处理金属。 41.如申请专利范围第39项的热处理系统,其中,该金 属包含有铝与一铝合金其中至少一者。 42.如申请专利范围第38项的热处理系统,其中,位在 该热处理室之该内表面上的该保护屏障层包含有 Al2O3、Y2O3、Sc2O3、Sc2F3、YF3、La2O3、CeO2、Eu2O3与DyO3 其中至少一者。 43.如申请专利范围第38项的热处理系统,其中,该基 板支座具有形成于其至少一曝露表面上的一保护 屏障层。 44.一种处理室的处理方法,包含如下步骤: 对该处理室之一内表面的至少一部份施以阳极处 理; 利用PTFE及/或TFE浸渍该阳极处理表面,藉此产生一 保护屏障层。 图式简单说明: 图1是说明出本发明一实施例的处理系统之示意图 ; 图2是显示出本发明一实施例的处理系统之横剖面 示意图; 图3是显示出本发明一实施例的化学处理系统之横 剖面示意图; 图4是显示出本发明另一实施例的化学处理系统之 横剖面示意图; 图5是显示出本发明一实施例的热处理系统之横剖 面示意图; 图6是显示出本发明另一实施例的热处理系统之横 剖面示意图; 图7是说明出本发明一实施例的基板支座之横剖面 示意图; 图8A是说明出本发明另一实施例的气体分配系统 之横剖面示意图; 图8B是说明出本发明一实施例、如图8A所示的气体 分配系统之放大图;以及, 图9是显示出本发明一实施例的基板升降组件。 |
