发明名称 一种镀膜先驱体组成物
摘要 本发明提供一种镀膜先驱体组成物,其包括:10 wt%~40 wt%之有机矽醇盐,5 wt%~20 wt%之水,10 wt%~80 wt%之一溶剂,0.01 wt%~5 wt%之一催化剂,以及1 wt%~20wt%之一介面活性剂,此介面活性剂为非离子型之含矽介面活性剂、非离子型之含芳香族基介面活性剂、或其混合物。本发明之镀膜先驱体组成物具有良好的贮存性,且利用一般镀膜方法即可得到具疏水性、高孔隙度、高平坦度的镀膜,不需使用特殊机台。
申请公布号 TWI278357 申请公布日期 2007.04.11
申请号 TW090133030 申请日期 2001.12.28
申请人 财团法人工业技术研究院 发明人 洪诠雅;王朝仁;陈丽梅
分类号 B05D5/00(2006.01);G03F7/09(2006.01) 主分类号 B05D5/00(2006.01)
代理机构 代理人
主权项 1.一种镀膜先驱体组成物,其可用于制作具疏水性 、多孔隙之镀膜,其包括: 10 wt%~40 wt%之有机矽醇盐; 5 wt%~20 wt%之水; 10 wt%~80 wt%之一溶剂; 0.01 wt%~5 wt%之一催化剂;以及 1 wt%~20 wt%之一介面活性剂, 其中该介面活性剂为择自非离子型之含矽介面活 性剂、非离子型之含芳香族基介面活性剂、及其 混合物所组成之族群中。 2.如申请专利范围第1项所述之镀膜先驱体组成物, 其中该介面活性剂之HLB値介于5~20之间。 3.如申请专利范围第2项所述之镀膜先驱体组成物, 其中该介面活性剂之HLB値介于7~16之间。 4.如申请专利范围第1项所述之镀膜先驱体组成物, 其中该非离子型之含矽介面活性剂为烷氧基化之 含有乙烯氧化物单元之矽氧烷,或烷氧基化之含有 乙烯氧化物及丙烯氧化物单元的矽氧烷。 5.如申请专利范围第1项所述之镀膜先驱体组成物, 其中该非离子型之含芳香族基介面活性剂为具有 12至80个碳数者。 6.如申请专利范围第5项所述之镀膜先驱体组成物, 其中该非离子型之含芳香族基介面活性剂为具有 15至40个碳数者。 7.如申请专利范围第5项所述之镀膜先驱体组成物, 其中该介面活性剂为辛基苯氧基聚乙氧基乙醇,或 壬基苯氧基聚乙氧基乙醇。 8.如申请专利范围第1项所述之镀膜先驱体组成物, 其中该催化剂为酸。 9.如申请专利范围第8项所述之镀膜先驱体组成物, 其中该酸系择自由有机酸、无机酸、及其混合物 所组成之族群中。 10.如申请专利范围第1项所述之镀膜先驱体组成物 ,其中该溶剂包括醇类和酯类。 11.如申请专利范围第10项所述之镀膜先驱体组成 物,其中该醇类的用量为30 wt%~70 wt%,以全部镀膜先 驱体组成物的重量为基准。 12.如申请专利范围第10项所述之镀膜先驱体组成 物,其中该醇类为择自由甲醇、乙醇、及丙醇所组 成之族群中。 13.如申请专利范围第10项所述之镀膜先驱体组成 物,其中该酯类之用量为10 wt%~50 wt%,以全部镀膜先 驱体组成物的重量为基准。 14.如申请专利范围第10项所述之镀膜先驱体组成 物,其中该酯类为择自由乙酸乙酯、乙酸丙酯、和 丙酸乙酯所组成之族群中。 15.如申请专利范围第1项所述之镀膜先驱体组成物 ,其中该有机矽醇盐为R3nSi(OR4)4-n,其中R3、R4可为相 同或不同且为C1~C4烷基,n为1~3之整数。 16.一种具疏水性、多孔隙之镀膜,其系由申请专利 范围第1项所述之镀膜先驱体组成物所制得。 17.如申请专利范围第16项所述之镀膜,其具有之孔 隙度为5~60%。 18.如申请专利范围第16项所述之镀膜,其对水之接 触角大于100。
地址 新竹县竹东镇中兴路4段195号