发明名称 光触媒被覆方法及该方法所制造之光触媒被膜成形物
摘要 在藉由喷射钛粉体形成氧化钛被膜之光触媒被覆方法中,为防止粉尘爆炸之发生。本发明之光触媒被覆方法,系对由金属成品或陶瓷或该等之混合体所构成的被处理成品表面,以含氧0~15质量%、并以惰性气体为主成份之压缩气体,喷射由钛或钛合金所构成之粉体,而使该钛或合金所构成粉体中的钛扩散到该被处理成品表面,同时使其氧化形成氧化钛被膜。
申请公布号 TWI278335 申请公布日期 2007.04.11
申请号 TW093111553 申请日期 2004.04.26
申请人 不二机贩股份有限公司 发明人 宫四志男
分类号 B01D1/02(2006.01);B01J21/06(2006.01) 主分类号 B01D1/02(2006.01)
代理机构 代理人 桂齐恒 台北市中山区长安东路2段112号9楼;阎启泰 台北市中山区长安东路2段112号9楼
主权项 1.一种光触媒被覆方法,其特征在于,系于由金属成 品或陶瓷或此等之混合体所构成的被处理成品之 表面,藉由含氧0~15质量%并以惰性气体为主成份之 压缩气体,以喷射速度80m/秒以上、喷射压力0.29Mpa 以上喷射由钛、钛合金、钛等利用氧化而发挥光 触媒特性之金属或含该金属之合金所构成之平均 粒径为10~800m之粉体,且当所喷射之该粉体粒径 减少时,减少该压缩气体中之氧含量;当该粉体粒 径增大时,增加该压缩气体中之氧含量,而使该粉 体中之钛扩散到该被处理成品的表面,并使其氧化 形成氧化钛被膜。 2.如申请专利范围第1项之光触媒被覆方法,其中, 该由钛或钛合金所构成粉体之平均粒径为20~300m ;当所喷射之该由钛或钛合金所构成粉体之粒径减 少时,减少该压缩气体中之氧含量;且当该由钛或 钛合金所构成粉体之粒径增大时,增加该压缩气体 中之氧含量。 3.如申请专利范围第1或第2项之光触媒被覆方法, 其中,该粉体之平均粒径为20~45m时,该压缩气体 之氧含量系定为0~10质量%。 4.如申请专利范围第1或第2项之光触媒被覆方法, 其中,该粉体之平均粒径为20~45m时,该压缩气体 之氧含量系定为5质量%。 5.如申请专利范围第1或第2项之光触媒被覆方法, 其中,该粉体之平均粒径为300m以上时,该压缩气 体之氧含量系定为10~15质量%。 6.一种光触媒被覆成形物,其特征在于,系藉由以氮 气为惰性气体之申请专利范围第1至5项中任一项 之方法,将该被处理成品的表面加以氮化,且在该 表面形成该氧化钛被膜而构成。
地址 日本