| 主权项 |
1.一种排气的处理方法,其特征在于该方法由在吸 附剂中添加卤素类气体吸收液的步骤(A),与使从半 导体制造工程排出的包含卤素类气体的排气与上 述吸附剂接触的步骤(B)构成,从该排气中去除该卤 素类气体。 2.如申请专利范围第1项之排气的处理方法,其于步 骤(A)的卤素类气体吸收液向吸附剂中的添加是在 从下述情况中选择1种或以上时进行,该情况为与 包含卤素类气体的排气的吸附剂接触时、接触前 、接触后。 3.如申请专利范围第1项之排气的处理方法,其藉由 步骤(B)的包含卤素类气体的排气与吸附剂的接触, 从排气中吸附去除该卤素类气体。 4.如申请专利范围第1项之排气的处理方法,其藉由 步骤(A)的吸附剂与卤素类气体吸收液的接触,将吸 附在吸附剂上的卤素类气体吸收于卤素类气体吸 收液中,由该吸附剂解吸。 5.如申请专利范围第1项之排气的处理方法,其另包 括在预先工程中对包含卤素类气体的排气进行的 下述步骤(C),该步骤(C)为,在非吸附性填充剂存在 的条件下,使包含卤素类气体的排气与卤素类气体 吸收液接触。 6.如申请专利范围第1项之排气的处理方法,其吸附 剂为活性炭、沸石、或多孔陶瓷。 7.如申请专利范围第1项之排气的处理方法,其卤素 类气体为从卤素、卤化氢、卤化硼、卤化矽和卤 化钨中选择的1种或以上的气体。 8.如申请专利范围第1项之排气的处理方法,其卤素 类气体吸收液为水、硷性水溶液、包含硷金属化 合物的盐的水溶液、或包含硷土类金属化合物的 盐的水溶液。 9.一种排气的处理装置,其特征在于该排气的处理 装置至少包括从半导体制造工程排出的包含卤素 类气体的排气的导入口、吸附剂的填充部、将卤 素类气体吸收液添加于该填充部中的机构、以及 经处理的气体的排出口。 10.如申请专利范围第9项之排气的处理装置,该处 理装置更于具有卤素类气体的排气的导入口,与吸 附剂的填充部之间的排气通路中,设置非吸附性填 充剂的填充部,以及将卤素类气体吸收液添加于该 非吸附性填充剂的填充部中的机构。 11.如申请专利范围第9项之排气的处理装置,于将 卤素类气体吸收液添加于该吸附剂的填充部中的 机构,为喷射卤素类气体吸收液的雾化喷嘴或喷淋 头喷嘴。 图式简单说明: 第1图为表示本发明之排气的处理装置的一个实例 的纵向剖视图; 第2图为表示本发明之第1图以外的排气的处理装 置的一个实例的纵向剖视图; 第3图为表示本发明之第1、2图以外的排气的处理 装置的一个实例的结构图。 |
