| 发明名称 | TFT LCD阵列基板外围走线结构及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了TFT LCD阵列基板外围走线结构，包括：一基板及其形成于其上的阵列结构；一修复线，形成在基板上；一栅极绝缘层，形成在修复线之上；一外围公共电极走线，形成在栅极绝缘层之上，并与修复线存在交叠；其中外围公共电极走线在与修复线交叠区域呈网状结构。本发明还同时公开了另外一种TFTLCD阵列基板外围走线结构以及这两种阵列基板外围走线结构的制造方法。本发明在满足走线电阻的前提下，将外围公共电极走线在于修复线交叠区域设计成网状，降低了走线间的电容耦合效应，从而满足了修复线正常修复的要求。 | ||
| 申请公布号 | CN1945839A | 申请公布日期 | 2007.04.11 |
| 申请号 | CN200610149883.8 | 申请日期 | 2006.10.27 |
| 申请人 | 京东方科技集团股份有限公司 | 发明人 | 彭志龙 |
| 分类号 | H01L27/12(2006.01);H01L23/522(2006.01);H01L21/84(2006.01);H01L21/768(2006.01);G02F1/136(2006.01) | 主分类号 | H01L27/12(2006.01) |
| 代理机构 | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 | 代理人 | 刘芳 |
| 主权项 | 1、一种TFT LCD阵列基板外围走线结构，其特征在于，包括：一基板及其形成于其上的阵列结构；一修复线，形成于所述基板上；一栅极绝缘层，形成于所述修复线之上；一外围公共电极走线，形成于所述栅极绝缘层之上，并与所述修复线存在交叠；其中，所述外围公共电极走线在与所述修复线交叠区域呈网状结构。 | ||
| 地址 | 100016北京市朝阳区酒仙桥路10号 | ||