| 发明名称 | 半导体器件和半导体器件制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明揭示一种半导体器件和半导体器件制造方法，做成不需要衬底两面的阻焊层，减小衬底翘曲，使施加在连接部的应力减小，改善半导体元件的连接性，同时还使组装工序的自由度增大。 | ||
| 申请公布号 | CN1945821A | 申请公布日期 | 2007.04.11 |
| 申请号 | CN200610100783.6 | 申请日期 | 2006.06.30 |
| 申请人 | 松下电器产业株式会社 | 发明人 | 大隅贵寿 |
| 分类号 | H01L23/498(2006.01);H01L23/12(2006.01);H01L21/60(2006.01) | 主分类号 | H01L23/498(2006.01) |
| 代理机构 | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人 | 沈昭坤 |
| 主权项 | 1.一种半导体器件，其特征在于，具有衬底、表面朝下地装载在所述衬底的一主面的半导体元件、以及设置在所述衬底的另一主面的外部端子，所述衬底在一主面下陷的位置具有与所述半导体元件的连接端子电连接的连接电极，在另一主面下陷的位置具有与所述外部端子电连接的外部电极，在内部具有连接所述连接电极和所述外部电极的通道。 | ||
| 地址 | 日本大阪府 | ||