| 发明名称 | 用于将至少一层结构化的方法以及具有由所述层形成的结构的电子部件 | ||
| 摘要 | 本发明说明了一种用于产生至少一个结构化的层(10A)的方法，其中在位于衬底(5)上的层(10)上产生具有第一结构(20A)和第二结构(20B)的掩模结构(20)。通过该掩模结构(20)，第一结构(20A)借助各向同性的结构化方法而第二结构(20B)借助各向异性的结构化方法被转移到所述层(10)上。根据本发明的方法允许在至少一个具有单个掩模结构的层中产生两个结构(20A，20B)。 | ||
| 申请公布号 | CN1947232A | 申请公布日期 | 2007.04.11 |
| 申请号 | CN200580012543.4 | 申请日期 | 2005.04.21 |
| 申请人 | 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司 | 发明人 | 马亚·哈肯贝格尔;约翰内斯·弗尔克尔;罗兰德·蔡塞尔 |
| 分类号 | H01L21/3213(2006.01) | 主分类号 | H01L21/3213(2006.01) |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人 | 杨生平;杨红梅 |
| 主权项 | 1.一种用于产生结构化的层(10A)的方法，其具有以下方法步骤：A)在衬底(5)上设置至少一个层(10)，B)在所述至少一个层(10)上产生具有第一结构(20A)和第二结构(20B)的掩模结构(20)，C)通过各向同性方法将所述至少一个层(10)结构化，D)接着，通过各向异性的方法将所述至少一个层(10)结构化。 | ||
| 地址 | 德国雷根斯堡 | ||