具有表面下台阶式浮栅的双电可擦可编程只读存储器型存储晶体管

摘要

一种具有成行成列地设置的存储单元(13)的存储器数组(10)，每一存储单元具有双EEPROM(15，115)，其特征在于具有用于集中电场的表面下台阶(53，54)式浮栅。EEPROM只使用一单多晶硅层，其的一部分为每一EEPROM的浮栅(82，84)，而另一部分则为字线(WL1，WL2)。双EEPROM通过具有的扩散的控制线(62，64)和扩散的位线(BL1)共享一表面下的共电极(92)。所述双EEPROM对称于该共电极。

主权项

1.一种具有多行和多列存储单元的非易失性存储器数组，每一存储单元包括：对称地设置在一具有一平面表面的共衬底上并共享一共电极的第一和第二非易失性存储晶体管，每一所述非易失性存储晶体管具有：一在所述共衬底上电浮动的单多晶硅层，所述单多晶硅层的一第一部分呈一具有一台阶的结构，所述台阶在所述共衬底的所述平面表面下延伸并通过一氧化层与所述共衬底相隔开，从而使电浮动的所述单多晶硅层作用为一浮栅；以及具有一与所述浮栅连接的配置成作用为一控制电极的电容器，所述浮栅通过所述氧化层可与一表面下的电极电连接；分别设置在所述第一和第二非易失性存储晶体管的外侧的第一和第二字线，所述字线由在同一列中的多个存储单元共享，一横过所述字线的位线与所述字线成电容关系以及也与所述第一和第二非易失性存储晶体管的所述浮栅成电容关系；以及第一和第二控制线，每一控制线为与每一所述非易失性存储晶体管相关联的所述电容器的一极板。