| 发明名称 | 制备碳纳米结构体的方法 | ||
| 摘要 | 制备碳纳米结构体的方法，使得可以高纯度和以稳定方式提供将要制备的具有更均匀形状的碳纳米结构体。具体公开了制备碳纳米结构体的方法，其中通过气相沉积在包含催化材料(12)的催化基体(14)的晶体生长表面(17)生长碳晶体，特别公开了使包含原料气体的两种或多种气体同时接触催化基体(14)的方法。所述两种或多种气体优选可以是一种或多种原料气体以及一种或多种载气。优选所述载体接触晶体生长表面(17)且所述原料气体接触除接触载体的晶体生长表面(17)以外的至少一部分区域。所述原料气体可以优选包含离子，特别是碳离子。 | ||
| 申请公布号 | CN1946635A | 申请公布日期 | 2007.04.11 |
| 申请号 | CN200580012691.6 | 申请日期 | 2005.01.28 |
| 申请人 | 住友电气工业株式会社 | 发明人 | 日方威 |
| 分类号 | C01B31/02(2006.01);B82B3/00(2006.01) | 主分类号 | C01B31/02(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 封新琴;张平元 |
| 主权项 | 1.一种通过从包含催化材料(12)的催化基体(14)的晶体生长表面(17)上进行气相沉积而制备用于生长碳结晶的碳纳米结构体(18)的方法，其中同时设置使环境气体接触所述催化剂基体(14)的至少两个条件，以及所述环境气体是包含至少一种原料气的一种气体或至少两种气体。 | ||
| 地址 | 日本大阪府 | ||